Составители:
Рубрика:
70
превышении амплитуды напряжения значения опорного напряжения –
стабилитрон пробивается.
Второй – шунтирование секций или транзистора цепочкой из пос-
ледовательно включенных резистора и конденсатора.
На рис. 40, а, б показаны две принципиальные электрические схемы
силовых транзисторных ключей: R3, R4, R5 = 0,05÷0,2 Ом при макси-
мальном токе 20÷5 А, и R = 0,2÷1,0 Ом при токе 3А и меньше.
Сигнальные элементы ДПР CЭ выполнены в виде постоянных маг-
нитов, укрепленных на якоре датчика; ЧЭ – торроидальные дроссели с
ферритовыми сердечниками. Если сигнальный элемент находится вне
зоны дросселя LI, то индуктивное сопротивление дросселя велико, и
напряжение питания датчика U
д
почти полностью приложено к дроссе-
лю, а напряжение на входе транзисторного ключа практически отсут-
ствует, поэтому ключ закрыт. Когда сигнальный элемент входит в зону
Т1
N
S
L1
VД1
R1
VТ1
+
–
–
+
U
п
ОД
Т1
L1
R1
R2
VТ1
VТ2
VТ3
VТ4
+–
–
+
U
ОД
VД5
R3 R4 R5
U
д
CЭ
CЭ
U
см
N
S
U
см
VД3
VД4
VД2U
д
Рис. 40. Принципиальные электрические схемы силовых транзисторных
ключей
а)
б)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 68
- 69
- 70
- 71
- 72
- …
- следующая ›
- последняя »
