Исследование униполярных структур. Медведев С.П - 10 стр.

точника питания в цепи стока. Одновременно с возникновением        Команды меню
канала и появлением в нем подвижных носителей заряда умень-        Измерения
шается напряжение на стоке, т.е. мгновенное значение перемен-
                                                                       База данных – активизировать или спрятать окно базы
ной составляющей электрического поля в канале направленно
                                                                данных;
противоположно постоянной составляющей. Поэтому дырки
                                                                       Осциллограф – активизировать или спрятать окно осцил-
тормозятся переменным электрическим полем, отдавая ему
                                                                лографа – основного инструмента лабораторной работы;
часть своей энергии.
                                                                       Температурная зависимость – исследование температур-
     Вольтамперные характеристики показаны на рисунке 4
                                                                ных зависимостей различных характеристик, для этого сначала
                                                                выставляется необходимый режим измерения в осциллографе,
                                                                далее включается термостат; в базе данных измерения можно
                                                                сохранять в виде серии, т.е. появится возможность просмотреть
                                                                как отдельные измерения, так и все в одной системе координат
                                                                (рис. 10).




Рисунок 4 – Выходные статические характеристики (а) и стати-
ческие характеристики передачи (б) МДП-транзистора с инду-
                   цированным каналом

МДП-транзисторы со встроенным каналом

       Проводящий канал под затвором может быть создан в ре-
зультате локальной диффузии или ионной имплантации соответ-
ствующих примесей в приповерхностный слой подложки. Он
может возникнуть из-за перераспределения примесей вблизи по-
верхности полупроводниковой подложки в процессе термиче-
ского окисления ее поверхности. Проводящий канал может поя-
виться под затвором из-за фиксированного заряда в подзатвор-
ном слое диоксида кремния, на поверхностных энергетических                 Рис. 10. Серия температурных измерений
уровнях, а также из-за контактной разности потенциалов между
металлом затвора и полупроводником подложки.                          Подключиться – подключиться к серверу;
       Модуляция сопротивления проводящего канала МДП-                Отключиться – отключиться от сервера;
транзистора может происходить при изменении напряжения на             Оператор – разговор с оператором на сервере (например
затворе как положительной, так и отрицательной полярности.      для проверки связи или передачи каких либо указаний);
Таким образом, МДП-транзистор может работать в двух режи-             Печать – печать результатов;
мах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носите-          Выход – выход из программы;
                             10                                                              15