ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
затворе в результате проникновения электрического поля через
диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях
на затворе (меньших U
зи пор
) у поверхности полупроводника под
затвором возникает объединенный основными носителями заря-
да слой и область объемного заряда, состоящая из ионизирован-
ных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжени-
ях на затворе, больших порогового U
зи пор
, у поверхности полу-
проводника под затвором возникает инверсный слой, который и
является проводящим каналом между истоком и стоком. С изме-
нением напряжения на затворе изменяется концентрация носи-
телей заряда в проводящем канале, а также толщина или попе-
речное сечение проводящего канала, т.е. происходит модуляция
сопротивления проводящего канала. Основной причиной
моду-
ляции сопротивления проводящего канала в МДП-транзисторах
с индуцированным каналом является изменение концентрации
носителей заряда в проводящем канале; в полевых транзисторах
с управляющим переходом - изменение толщины или попереч-
ного сечения канала.
При изменении сопротивления проводящего канала из-
меняется и ток стока.
В связи с тем, что затвор отделен от подложки
диэлек-
трическим слоем, ток в цепи затвора ничто мал, мала и мощ-
ность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и не-
обходимая для управления относительно большим током стока.
Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом
может производить усиление электрических сигналов по напря-
жению и по мощности.
Принцип усиления мощности
в МДП-транзисторах мож-
но рассматривать с точки зрения передачи носителями заряда
энергии постоянного электрического поля (энергии источника
питания в выходной цепи) переменному электрическому полю.
В МДП-транзисторе до возникновения канала почти все напря-
жение источника питания в цепи стока падало на полупроводни-
ке между истоком и стоком, создавая относительно большую
постоянную составляющую напряженности электрического по-
ля. Под действием напряжения на затворе в полупроводнике под
затвором возникает канал, по которому от источника к стоку
движутся носители заряда – дырки. Дырки, двигаясь по направ-
лению постоянной составляющей электрического поля, разгоня-
ясь этим полем, и их энергия увеличивается за счет энергии ис-
Правка
Копировать – копировать в буфер;
Настройки
Параметры – установка IP адреса и порта сервера;
Образцы – список типов транзисторов, установленных в
стенде;
Окно
Закрыть все – закрыть все окна
Помощь
Содержание – справка об использовании программы;
О Программе – сведения о программе.
Панель инструментов (рис. 11) содержит кнопки, дубли-
рующие некоторые пункты главного меню:
• Осциллограф
• База данных
• Параметры
• Содержание
• Подключиться
• Отключится
• Разговор
• Выход
Рис. 11. Панель инструментов
Окно осциллографа (рис. 12) состоит из индикатора теку-
щей температуры, окна измерений, кнопок управления. Для об-
новления данных нужно нажать F5, или кнопку "обновлять", ко-
торая позволяет автоматически обновлять через одну секунду.
При проведении измерений нужно выбрать образец, нажав
на кнопку «Образец» и выбрав его, выбрать тип характеристик
(
выходные, передаточные или крутизна), установить напряже-
ние на стоке-истоке и выбрать необходимый предел измерений
тока стока. Для выходных характеристик вы можете регулиро-
вать напряжение на затворе-истоке с помощью ползунка, значе-
ния напряжений в этом случае отображаются в строке статуса;
для передаточных характеристик необходимо установить на-
9 16
Правка затворе в результате проникновения электрического поля через
Копировать – копировать в буфер; диэлектрический слой в полупроводник при малых напряжениях
Настройки на затворе (меньших Uзи пор) у поверхности полупроводника под
затвором возникает объединенный основными носителями заря-
Параметры – установка IP адреса и порта сервера;
да слой и область объемного заряда, состоящая из ионизирован-
Образцы – список типов транзисторов, установленных в
ных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжени-
стенде;
ях на затворе, больших порогового Uзи пор, у поверхности полу-
Окно
проводника под затвором возникает инверсный слой, который и
Закрыть все – закрыть все окна является проводящим каналом между истоком и стоком. С изме-
Помощь нением напряжения на затворе изменяется концентрация носи-
Содержание – справка об использовании программы; телей заряда в проводящем канале, а также толщина или попе-
О Программе – сведения о программе. речное сечение проводящего канала, т.е. происходит модуляция
сопротивления проводящего канала. Основной причиной моду-
Панель инструментов (рис. 11) содержит кнопки, дубли- ляции сопротивления проводящего канала в МДП-транзисторах
рующие некоторые пункты главного меню: с индуцированным каналом является изменение концентрации
• Осциллограф носителей заряда в проводящем канале; в полевых транзисторах
• База данных с управляющим переходом - изменение толщины или попереч-
• Параметры ного сечения канала.
• Содержание При изменении сопротивления проводящего канала из-
• Подключиться меняется и ток стока.
• Отключится В связи с тем, что затвор отделен от подложки диэлек-
• Разговор трическим слоем, ток в цепи затвора ничто мал, мала и мощ-
• Выход ность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и не-
обходимая для управления относительно большим током стока.
Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом
Рис. 11. Панель инструментов может производить усиление электрических сигналов по напря-
жению и по мощности.
Принцип усиления мощности в МДП-транзисторах мож-
Окно осциллографа (рис. 12) состоит из индикатора теку- но рассматривать с точки зрения передачи носителями заряда
щей температуры, окна измерений, кнопок управления. Для об- энергии постоянного электрического поля (энергии источника
новления данных нужно нажать F5, или кнопку "обновлять", ко- питания в выходной цепи) переменному электрическому полю.
торая позволяет автоматически обновлять через одну секунду. В МДП-транзисторе до возникновения канала почти все напря-
При проведении измерений нужно выбрать образец, нажав жение источника питания в цепи стока падало на полупроводни-
на кнопку «Образец» и выбрав его, выбрать тип характеристик ке между истоком и стоком, создавая относительно большую
(выходные, передаточные или крутизна), установить напряже- постоянную составляющую напряженности электрического по-
ние на стоке-истоке и выбрать необходимый предел измерений ля. Под действием напряжения на затворе в полупроводнике под
тока стока. Для выходных характеристик вы можете регулиро- затвором возникает канал, по которому от источника к стоку
вать напряжение на затворе-истоке с помощью ползунка, значе- движутся носители заряда – дырки. Дырки, двигаясь по направ-
ния напряжений в этом случае отображаются в строке статуса; лению постоянной составляющей электрического поля, разгоня-
для передаточных характеристик необходимо установить на- ясь этим полем, и их энергия увеличивается за счет энергии ис-
16 9
