Исследование униполярных структур. Медведев С.П - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

лями заряда. Эта особенность МДП-транзистора со встроенным
каналом отражается и на смещении выходных статических ха-
рактеристик при изменении напряжения на затворе и его поляр-
ности (рисунок 5 а).
Статические характеристики передачи (рисунок 5 б) вы-
ходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению
отсечки, т.е. напряжению между затвором и истоком МДП
-
транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме
обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого
значения.
Рисунок 5– Выходные статические характеристики (а) и стати-
ческие характеристики передачи (б) МДП-транзистора со встро-
енным каналом
Распределение заряда
Рассмотрим баланс удельных зарядов в МДП-
транзисторе.
В равновесном состоянии (U
з
=0) вблизи поверхности
имеется обогащенный слой. Отрицательный заряд обогащенного
слоя балансируется положительными зарядами на затво
р
е и на
границе Si-SiO
2
(рисунок 6 а). Первый обусловлен контактной
разностью потенциалов, а второй – ионами в диэлектрике и по-
верхностными состояниями донорного типа. Если подать на за-
твор отрицательное напряжение U
з
=
ϕ
MS
, то заряд на затворе
сделается равным нулю, а в обогащенном слое исчезнет состав-
ляющая, связанная с контактной разностью потенциалов (рису-
нок 6 б).
Управление лабораторной работой
Возможности
Лабораторная работа позволяет:
• производить измерения;
• сохранять результаты в базе данных;
• представлять результаты в графическом и текстовом виде;
• формировать отчет и получать твердую копию.
Примечание: Только при проведении измерений ваш компью-
тер связывается с измерительным стендом, а в остальных случа-
ях вы
работаете только с результатами измерений.
Все управление лабораторной работой осуществляется с
помощью ЭВМ. Управляют работой при помощи команд, кото-
рые можно вводить либо из меню, либо кнопками панели управ-
ления. На рис. 9 показано главное окно приложения.
Рис. 9. Главное окно приложения
11 14 
                                                                лями заряда. Эта особенность МДП-транзистора со встроенным
                                                                каналом отражается и на смещении выходных статических ха-
               Управление лабораторной работой
                                                                рактеристик при изменении напряжения на затворе и его поляр-
                                                                ности (рисунок 5 а).
    Возможности                                                        Статические характеристики передачи (рисунок 5 б) вы-
                                                                ходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению
    Лабораторная работа позволяет:                              отсечки, т.е. напряжению между затвором и истоком МДП-
•   производить измерения;                                      транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме
•   сохранять результаты в базе данных;                         обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого
•   представлять результаты в графическом и текстовом виде;     значения.
•   формировать отчет и получать твердую копию.

   Примечание: Только при проведении измерений ваш компью-
тер связывается с измерительным стендом, а в остальных случа-
ях вы работаете только с результатами измерений.

    Все управление лабораторной работой осуществляется с
помощью ЭВМ. Управляют работой при помощи команд, кото-
рые можно вводить либо из меню, либо кнопками панели управ-      Рисунок 5– Выходные статические характеристики (а) и стати-
ления. На рис. 9 показано главное окно приложения.              ческие характеристики передачи (б) МДП-транзистора со встро-
                                                                                       енным каналом


                                                                Распределение заряда

                                                                       Рассмотрим баланс удельных зарядов в МДП-
                                                                транзисторе.
                                                                       В равновесном состоянии (Uз=0) вблизи поверхности
                                                                имеется обогащенный слой. Отрицательный заряд обогащенного
                                                                слоя балансируется положительными зарядами на затворе и на
                                                                границе Si-SiO2 (рисунок 6 а). Первый обусловлен контактной
                                                                разностью потенциалов, а второй – ионами в диэлектрике и по-
                                                                верхностными состояниями донорного типа. Если подать на за-
                                                                твор отрицательное напряжение Uз=ϕMS, то заряд на затворе
                                                                сделается равным нулю, а в обогащенном слое исчезнет состав-
                                                                ляющая, связанная с контактной разностью потенциалов (рису-
                                                                нок 6 б).

                Рис. 9. Главное окно приложения
                              14                                                            11

Страницы