Составители:
Рубрика:
37
а)
э
z
0
р
f
f
б)
z
ϕ
2
р
0
f
2
р
−
Рис.12
Из приведённого выражения сле-
дует, что характер резонансных кри-
вых напряжения зависит от величины
добротности контура Q и отношения
эквивалентного сопротивления конту-
ра при резонансе
рэ
Z к внутреннему
сопротивлению
i
R
.
ркк
UU
p = ∞
1
0, 707
p
2
p
1
p
1
< p
2
p= 0
р
ff
Рис. 13
Величина
э
Q называется эквивалентной добротностью параллельного
контура
,
с
с
1
2
рэ
э
i
i
R
r
R
Z
Q
Q
+
=
+
= (5.9)
где
вн
2
с RR
i
= – пересчитанное в контур сопротивление потерь, вносимое ис-
точником в контур. С увеличением
i
R
эквивалентная добротность увеличива-
ется и при
∞→
i
R
.
э
QQ →
В схеме параллельного питания контура от соотношения
pRZ
i
=
рэ
зависят избирательные свойства схемы (рис. 13). При больших значениях p из-
бирательность по напряжению ослабляется.
Полосу пропускания по напряжению для схем с параллельным контуром
рассчитывают, исходя из формулы (5.8):
.
12
э
0
р
Qf
f
=
Δ
(5.10)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 35
- 36
- 37
- 38
- 39
- …
- следующая ›
- последняя »
