Физические основы микросистемной техники. Механцев Е.Б - 46 стр.

UptoLike

46
проводниковой пластины необходимо через эти же ямки организовать селек-
тивное сквозное травление вначале диэлектрической, а затем металлической
пленки.
Предложенная структура обладает хорошей управляемостью конструк-
тивными параметрами. Так, рабочий размер узкой части V-образного отверстия
(ширина канала) определяется исходной толщиной пластины и размером окна в
маске при проведении анизотропного травления. Величина зазора
между элек-
тродами однозначно задается толщиной диэлектрической пленки. В необходи-
мых пределах можно менять и толщину металлического электрода.
Исследование модели, описывающей реальную структуру насоса, под-
тверждает его работоспособность. Как отмечалось, силы, действующие на ди-
поль, направлены в ту сторону, где изменение напряженности происходит бы-
стрее. В рассматриваемой структуре изменение напряженности
происходит как
в верхней, так и в нижней части рабочей зоны, причем силы, действующие на
диполь в этих частях, направлены в противоположные стороны. Но в силу
асимметрии структуры эти силы не одинаковы, что подтверждается прямыми
расчетами значений dE/dx на оси симметрии структуры, результаты которых
приведены на рис. 3.18. Преобладание сил, действующих на
диполи в нижней
части рабочей области создают давление, приводящее к направленному пере-
мещению жидкости.
Рис. 3.18. Характер распределения сил в рабочей зоне микронасоса
4. ЕМКОСТНЫЕ ДАТЧИКИ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ
Как отмечалось во введении, электрическое поле в компонентах МСТ ис-
пользуется двояко: или для реализации актюаторов на основе сил, действую-
щих в поле (рассмотрены в предыдущем разделе), или для получения информа-
ции о перемещении (изгибе, смещении) некоторых
подвижных элементов.
Информация получается за счет преобразования перемещений в изменение ем-
костей в некоторой системе электродов и измерения этих изменившихся емко-
стей. Такие преобразователи называют емкостными датчиками перемещений.