Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 107 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

- 106 -
где
.
2
)3(
Ω
=
h
ph
gge
EE
ω
ω
σ
(2.23)
Второй член связан с частицами, растерявшими энергию
на испускание фононов.
На рис. 2.17 приведены рассчитанные с помощью этой
формулы квантовые выходы люминесценции кристалло-
фосфоров в случае разной глубины провалов из-за мигра-
ционных потерь в области от E
g
до 2E
g
. Эти кривые рас-
считаны для случая, когда электрон-фононное взаимодей-
ствие сравнимо с электрон-электронным в области 2,5 E
g
.
При более слабом взаимодействии с фононами структура
квантового выхода выше 2E
g
становится более резкой,
максимумы сдвигаются в область меньших энергий. Глу-
бина провала в области 3E
g
коррелирует с глубиной прова-
ла перед 2E
g
. Это связано с тем, что непосредственно после
2E
g
рождаются электроны и дырки с малой энергией, и,
следовательно, с малым разлетом при горячей релаксации.
С ростом энергии возбуждающего кванта до 3E
g
вторич-
ные электроны распределяются в области от E
g
до 2E
g
с
соответствующим увеличением среднего разлета l, что вы-
зывает уменьшение квантового выхода за счет миграцион-
ных потерь. В дальнейшем начинается появление третич-
ных и т. д. электронных возбуждений, приводящее к ли-
нейному после (4—5) E
g
росту квантового выхода. 
где
           ωe (3Eg ) Eg                             (2.23)
      σ=                .
            2ω ph hΩ
Второй член связан с частицами, растерявшими энергию
на испускание фононов.
   На рис. 2.17 приведены рассчитанные с помощью этой
формулы квантовые выходы люминесценции кристалло-
фосфоров в случае разной глубины провалов из-за мигра-
ционных потерь в области от Eg до 2Eg. Эти кривые рас-
считаны для случая, когда электрон-фононное взаимодей-
ствие сравнимо с электрон-электронным в области 2,5 Eg.
При более слабом взаимодействии с фононами структура
квантового выхода выше 2Eg становится более резкой,
максимумы сдвигаются в область меньших энергий. Глу-
бина провала в области 3Eg коррелирует с глубиной прова-
ла перед 2Eg. Это связано с тем, что непосредственно после
2Eg рождаются электроны и дырки с малой энергией, и,
следовательно, с малым разлетом при горячей релаксации.
С ростом энергии возбуждающего кванта до 3Eg вторич-
ные электроны распределяются в области от Eg до 2Eg с
соответствующим увеличением среднего разлета l, что вы-
зывает уменьшение квантового выхода за счет миграцион-
ных потерь. В дальнейшем начинается появление третич-
ных и т. д. электронных возбуждений, приводящее к ли-
нейному после (4—5) Eg росту квантового выхода.




                            - 106 -

Страницы