Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 139 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

- 138 -
В том случае, когда на кристалл одновременно с излу-
чением накачки падает внешнее излучение, происходит
спонтанно-вынужденное параметрическое рассеяние. От-
ношение интенсивностей спонтанно-вынужденного и
спонтанного ПР равно:
N
св
/N
c
= 1 + Bλ
5
/hc
2
= 1 + m, (3.9)
где К—длина волны; В—яркость падающего на кристалл
излучения в обычных единицах; т—яркость в единицах
«фотон на моду». Таким образом, яркость падающего на
кристалл излучения может быть измерена без использова-
ния эталонов. Данный метод измерения яркости называет-
ся абсолютным.
Определим отношение N
св
/N
c
в том случае, когда на
кристалл падает СИ. Спектрально-угловое распределение
СИ описывается выражением
[ ]
×+
=
2
28
4
32
2
3
)(1
32
27
),,(
γϕγ
λ
λ
π
ϕλ
c
RL
cNe
LW
[ ]
,)(1
2
,)(
)(1
)(
)(
2/3
22
3/1
3
2
2
3/2
γϕ
λ
λ
ξξ
γϕ
γϕ
ξ
+=
+
+×
c
KK
(3.10)
где ; N—число электронов на орбите; е—заряд электрона;
R—радиус орбиты; γ=E/m
0
c
2
(E—энергия, m
0
c
2
—энергия
покоя электрона);
3
3
4
−
=
γ
π
λ
R
c
. Функции Макдональда
соответствуют двум взаимно перпендикулярным поляри-
зациям излучения.
Обычно максимум СИ приходится на область низко-
энергетического рентгеновского диапазона (~1 нм). Одна-
ко вследствие высокой направленности и малости эффек-
тивного размера излучающей области яркость СИ в ближ-
нем инфракрасном диапазоне весьма велика (табл. 3.1).
Отношение N
св
/N
c
составляет в диапазоне нескольких
микрон около 10. Для сравнения укажем, что яркость
вольфрамовой лампы на длине волны 4 мкм составляет 
   В том случае, когда на кристалл одновременно с излу-
чением накачки падает внешнее излучение, происходит
спонтанно-вынужденное параметрическое рассеяние. От-
ношение интенсивностей спонтанно-вынужденного и
спонтанного ПР равно:
   Nсв/Nc = 1 + Bλ5/hc2 = 1 + m,                   (3.9)
где К—длина волны; В—яркость падающего на кристалл
излучения в обычных единицах; т—яркость в единицах
«фотон на моду». Таким образом, яркость падающего на
кристалл излучения может быть измерена без использова-
ния эталонов. Данный метод измерения яркости называет-
ся абсолютным.
   Определим отношение Nсв/Nc в том случае, когда на
кристалл падает СИ. Спектрально-угловое распределение
СИ описывается выражением
                       27 Ne 2c  λc  8
                                         [           ]
                                     4

  W ( L, λ , ϕ ) =             2 3         γ 1 + (γϕ ) ×
                                                        2 2

                     32π L R  λ 
                          3


                       (γϕ ) 2                      λ
    
  ×  K 22/ 3 (ξ ) +
                     1 + (γϕ )  3
                                             
                                                 [          ]
                                  K12/ 3 (ξ ), ξ = c 1 + (γϕ ) 2 ,
                                                    2λ
                                                                 3/ 2 (3.10)
                                            
где ; N—число электронов на орбите; е—заряд электрона;
R—радиус орбиты; γ=E/m0c2 (E—энергия, m0c2—энергия
                                      4π
покоя электрона); λc =                     Rγ − 3 . Функции Макдональда
                                        3
соответствуют двум взаимно перпендикулярным поляри-
зациям излучения.
   Обычно максимум СИ приходится на область низко-
энергетического рентгеновского диапазона (~1 нм). Одна-
ко вследствие высокой направленности и малости эффек-
тивного размера излучающей области яркость СИ в ближ-
нем инфракрасном диапазоне весьма велика (табл. 3.1).
   Отношение Nсв/Nc составляет в диапазоне нескольких
микрон около 10. Для сравнения укажем, что яркость
вольфрамовой лампы на длине волны 4 мкм составляет

                                 - 138 -

Страницы