ВУЗ:
Составители:
- 139 - 
~0,01 
фотона  на  моду,  т.  е.  10
-2
–10
-3
  яркости  СИ.  В  [77] 
описывается  эксперимент  по  измерению  яркости  излуче-
ния вольфрамовой лампы с помощью абсолютного метода. 
Погрешность этих измерений составила несколько десятых 
процента. 
Таблица 3.1. Яркость источников СИ, фотон на моду 
λ
,
мкм
Источник  Ток, А
10  4  1  0,5 
ВЭПП-3 
DORIS 
«Сибирь-I» 
30 
400 
100 
10 
30 
50 
1,5 
5 
5 
0,05 
0,15 
0,3 
0,015 
0,04 
0,07 
Таким  образом,  в  случае  падения  на  кристалл  СИ  ин-
тенсивность  параметрического  рассеяния  может  возрасти 
более чем на порядок. Использование этого обстоятельства 
может  оказаться  весьма  существенным  при  исследовании 
спектров  ПР  кристаллов  .малого  размера,  поскольку  со-
гласно  (3.7)  интенсивность  спонтанного  ПР  пропор-
циональна длине кристалла. 
Тот факт, что яркость СИ может быть с высокой точно-
стью  рассчитана,  а  также  большая  яркость  СИ  дают  воз-
можность  проведения  точной  количественной  проверки 
абсолютного  метода  измерения  яркости.  К  настоящему 
времени  строгая  количественная  проверка  абсолютного 
метода не производилась, что связано с практической не-
возможностью  точного  расчета  яркости  обычных  источ-
ников света. 
Высокая яркость СИ может быть использована для изу-
чения  тонкой  частотно-угловой  структуры,  возникающей 
при  измерении  яркости  с  помощью  абсолютного  метода 
вследствие взаимной интерференции участвующих в пара-
метрическом  рассеянии  волн.  Характерное  значение  тон-
кой  частотной  структуры  составляет  0,3  см
-1
.  Так  как  в 
~0,01 фотона на моду, т. е. 10-2–10-3 яркости СИ. В [77]
описывается эксперимент по измерению яркости излуче-
ния вольфрамовой лампы с помощью абсолютного метода.
Погрешность этих измерений составила несколько десятых
процента.
 Таблица 3.1. Яркость источников СИ, фотон на моду
  Источник     Ток, А                      λ, мкм
                          10          4          1      0,5
  ВЭПП-3        30        10         1,5        0,05   0,015
   DORIS        400       30          5         0,15   0,04
 «Сибирь-I»     100       50          5         0,3    0,07
   Таким образом, в случае падения на кристалл СИ ин-
тенсивность параметрического рассеяния может возрасти
более чем на порядок. Использование этого обстоятельства
может оказаться весьма существенным при исследовании
спектров ПР кристаллов .малого размера, поскольку со-
гласно (3.7) интенсивность спонтанного ПР пропор-
циональна длине кристалла.
   Тот факт, что яркость СИ может быть с высокой точно-
стью рассчитана, а также большая яркость СИ дают воз-
можность проведения точной количественной проверки
абсолютного метода измерения яркости. К настоящему
времени строгая количественная проверка абсолютного
метода не производилась, что связано с практической не-
возможностью точного расчета яркости обычных источ-
ников света.
   Высокая яркость СИ может быть использована для изу-
чения тонкой частотно-угловой структуры, возникающей
при измерении яркости с помощью абсолютного метода
вследствие взаимной интерференции участвующих в пара-
метрическом рассеянии волн. Характерное значение тон-
кой частотной структуры составляет 0,3 см-1. Так как в
                           - 139 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 138
- 139
- 140
- 141
- 142
- …
- следующая ›
- последняя »
