Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 140 стр.

UptoLike

Составители: 

- 139 -
~0,01
фотона на моду, т. е. 10
-2
–10
-3
яркости СИ. В [77]
описывается эксперимент по измерению яркости излуче-
ния вольфрамовой лампы с помощью абсолютного метода.
Погрешность этих измерений составила несколько десятых
процента.
Таблица 3.1. Яркость источников СИ, фотон на моду
λ
,
мкм
Источник Ток, А
10 4 1 0,5
ВЭПП-3
DORIS
«Сибирь-I»
30
400
100
10
30
50
1,5
5
5
0,05
0,15
0,3
0,015
0,04
0,07
Таким образом, в случае падения на кристалл СИ ин-
тенсивность параметрического рассеяния может возрасти
более чем на порядок. Использование этого обстоятельства
может оказаться весьма существенным при исследовании
спектров ПР кристаллов .малого размера, поскольку со-
гласно (3.7) интенсивность спонтанного ПР пропор-
циональна длине кристалла.
Тот факт, что яркость СИ может быть с высокой точно-
стью рассчитана, а также большая яркость СИ дают воз-
можность проведения точной количественной проверки
абсолютного метода измерения яркости. К настоящему
времени строгая количественная проверка абсолютного
метода не производилась, что связано с практической не-
возможностью точного расчета яркости обычных источ-
ников света.
Высокая яркость СИ может быть использована для изу-
чения тонкой частотно-угловой структуры, возникающей
при измерении яркости с помощью абсолютного метода
вследствие взаимной интерференции участвующих в пара-
метрическом рассеянии волн. Характерное значение тон-
кой частотной структуры составляет 0,3 см
-1
. Так как в
~0,01 фотона на моду, т. е. 10-2–10-3 яркости СИ. В [77]
описывается эксперимент по измерению яркости излуче-
ния вольфрамовой лампы с помощью абсолютного метода.
Погрешность этих измерений составила несколько десятых
процента.
 Таблица 3.1. Яркость источников СИ, фотон на моду
  Источник     Ток, А                      λ, мкм
                          10          4          1      0,5
  ВЭПП-3        30        10         1,5        0,05   0,015
   DORIS        400       30          5         0,15   0,04
 «Сибирь-I»     100       50          5         0,3    0,07

   Таким образом, в случае падения на кристалл СИ ин-
тенсивность параметрического рассеяния может возрасти
более чем на порядок. Использование этого обстоятельства
может оказаться весьма существенным при исследовании
спектров ПР кристаллов .малого размера, поскольку со-
гласно (3.7) интенсивность спонтанного ПР пропор-
циональна длине кристалла.
   Тот факт, что яркость СИ может быть с высокой точно-
стью рассчитана, а также большая яркость СИ дают воз-
можность проведения точной количественной проверки
абсолютного метода измерения яркости. К настоящему
времени строгая количественная проверка абсолютного
метода не производилась, что связано с практической не-
возможностью точного расчета яркости обычных источ-
ников света.
   Высокая яркость СИ может быть использована для изу-
чения тонкой частотно-угловой структуры, возникающей
при измерении яркости с помощью абсолютного метода
вследствие взаимной интерференции участвующих в пара-
метрическом рассеянии волн. Характерное значение тон-
кой частотной структуры составляет 0,3 см-1. Так как в

                           - 139 -