Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 138 стр.

   3.2. Спонтанно-вынужденное рассеяние света в
кристаллах при воздействии СИ
   Параметрическое рассеяние (ПР) света представляет
собой распад в нелинейной среде фотона накачки на два
других фотона, при этом могут быть определены оптиче-
ские характеристики вещества. Сравнение интенсивностей
спонтанного и спонтанно-вынужденного ПР позволяет
произвести абсолютное (без использования эталонов) из-
мерение яркости излучения.
   Рассмотрим возможности для спектроскопии ПР и мет-
рологических применений, в частности уникальную воз-
можность безэталонного измерения постоянной тонкой
структуры ее, возникающие в том случае, когда на кри-
сталл наряду с накачкой падает синхротронное излучение
[74, 81].
   Интегральная интенсивность ПР составляет обычно
около 10-9 интенсивности накачки. Спектральная плот-
ность мощности на частоте ω1 равна:
          4π 2hω13ω22 2
    Wω1 =            χ Wнl ,                      (3.7)
            c 4 nнωн
где ω1, ω2 — частоты вторичных фотонов; χ — квадра-
тичная восприимчивость; Wн — мощность накачки; l —
 длина кристалла; ωн — частота излучения накачки; nн —
 показатель преломления на частоте ωн.
   Частотно-угловое распределение ПР определяется зако-
нами сохранения импульса и энергии
   kн = k1 + k2; ωн = ω1 + ω2                      (3.8)
для участвующих в ПР фотонов. Таким образом, исследо-
вание спектрально-углового распределения интенсивности
ПР позволяет одновременно определить дисперсию дейст-
вительной и мнимой частей линейной восприимчивости и
квадратичную восприимчивость кристалла.


                         - 137 -