Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 145 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

- 144 -
электронные пучки или лазеры — оба этих метода не по-
зволяют получить разрешение: лучше, чем 2 мкм. Исполь-
зование рентгеновского излучения позволяет повысить
разрешение в. сотни раз, но при имеющихся мощностях
рентгеновских источников экспозиции для получения од-
ного отображения достигают нескольких часов. Элемент
микросхемы представляет собой монокристалл кремния,
на который нанесен сначала слой металла (золота), а на
него — светочувствительный слой (фоторезист). Эта «ваф-
ля» через маску, находящуюся на расстоянии 2–5 мкм, ос-
вещается СИ и после облучения обрабатывается. Инте-
гральная схема представляет собой соединения нескольких
десятков таких обработанных слоев (рис. 3.7).
Синхротронное излучение намного превосходит по ин-
тенсивности существующие источники рентгеновского из-
лучения и обладает практически коллимированным пуч-
ком. Это позволяет повысить разрешение отображений до
сотых долей микрометра при экспозиции несколько се-
кунд. Причем с одной маски, как показали исследования
фирмы IBM, можно получить десятки тысяч отображений.
Это связано с меньшими лучевыми нагрузками на маску.
Рис. 3.7. Схема ус-
тановки для рент-
геновской микро-
литографии с ис-
пользованием СИ:
1 — окно, прозрачное
для СИ .в области 0,2—2
нм;. 2—камера для экс-
понирования; 3—маска;
4— юстировочный сто-
лик; 5— фоторезист; 6—
кристалл кремния; 7—
расстояние от маски до
фоторезиста
Маска производится обычно на электронном микроскопе с
фокусировкой пучка в пятно около 10 нм. На конференции 
электронные пучки или лазеры — оба этих метода не по-
зволяют получить разрешение: лучше, чем 2 мкм. Исполь-
зование рентгеновского излучения позволяет повысить
разрешение в. сотни раз, но при имеющихся мощностях
рентгеновских источников экспозиции для получения од-
ного отображения достигают нескольких часов. Элемент
микросхемы представляет собой монокристалл кремния,
на который нанесен сначала слой металла (золота), а на
него — светочувствительный слой (фоторезист). Эта «ваф-
ля» через маску, находящуюся на расстоянии 2–5 мкм, ос-
вещается СИ и после облучения обрабатывается. Инте-
гральная схема представляет собой соединения нескольких
десятков таких обработанных слоев (рис. 3.7).
   Синхротронное излучение намного превосходит по ин-
тенсивности существующие источники рентгеновского из-
лучения и обладает практически коллимированным пуч-
ком. Это позволяет повысить разрешение отображений до
сотых долей микрометра при экспозиции несколько се-
кунд. Причем с одной маски, как показали исследования
фирмы IBM, можно получить десятки тысяч отображений.
Это связано с меньшими лучевыми нагрузками на маску.
                                       Рис. 3.7. Схема ус-
                                       тановки для рент-
                                       геновской микро-
                                       литографии с ис-
                                       пользованием СИ:
                                       1 — окно, прозрачное
                                       для СИ .в области 0,2—2
                                       нм;. 2—камера для экс-
                                       понирования; 3—маска;
                                       4— юстировочный сто-
                                       лик; 5— фоторезист; 6—
                                       кристалл кремния; 7—
                                       расстояние от маски до
                                       фоторезиста


Маска производится обычно на электронном микроскопе с
фокусировкой пучка в пятно около 10 нм. На конференции

                        - 144 -

Страницы