Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 146 стр.

по физике вакуумного ультрафиолетового излучения ВУФ-
5 (1977 г., Монпелье, Франция) было предложено исполь-
зовать СИ для создания сканирующей рентгеновской сис-
темы, которая позволила бы повысить разрешение и при
производстве самих масок для рентгеновской литографии.
   Исследования возможностей использования СИ для ли-
тографии проведены в основном фирмой IBM на европей-
ских машинах (накопитель АСО – во Франции, синхротрон
DESY – в ФРГ). Результаты этих исследований показали,
что для получения максимального контраста лучше ис-
пользовать источник в низкоэнергетической рентгеновской
области, для этого подходят, например, накопители элек-
тронов на 600—700 МэВ. В Западном Берлине построен
накопитель электронов на 800 МэВ (BESSY), имеющий
оптимальную энергию для рентГеновской литографии, на
такую же энергию строится источник СИ в КНР.
   Использование уникальных свойств СИ (острая направ-
ленность, высокая интенсивность в рентгеновской облас-
ти) позволяет значительно улучшить качество элементов
микросхем, увеличив в сотни раз разрешение отображений
и повысив их контрастность. Это дает возможность полу-
чать качественно новые элементы для микроэлектроники
(повышение плотности элементов на единицу площади,
улучшение временных характеристик и пр.). Уменьшение
экспозиций позволит в тысячи раз повысить производи-
тельность технологических линий микросхем. На одном
накопителе могут быть созданы десятки каналов СИ, каж-
дый из которых можно использовать для этих линий. Этим
производительность источника повышается еще на поря-
док.

   Заключение

   Наше поколение явилось свидетелем того, как явление,
некогда вредное, затруднявшее создание новых высоко-

                        - 145 -