Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 144 стр.

численные значения никаких констант и эталонов. Не
нужно также знать конкретные значения длины волны, на
которой производятся измерения, радиуса орбиты и энер-
гии электронов, т. е. всех параметров, которыми согласно
(3.10) определяется интенсивность СИ.
   При использовании существующей аппаратуры погреш-
ность определения α с помощью только относительных
измерений, по-видимому, не может быть меньше 10-2–10-3.
Однако эта погрешность определяется в основном сте-
пенью совершенства аппаратуры (квантовые и другие по-
правки к формуле (3.8) весьма малы и могут быть учтены
[82]). Поэтому точность определения не ограничена систе-
матической погрешностью, связанной с неточностью оп-
ределения какой-то константы или эталона. Если не зада-
ваться целью определить α с помощью измерения яркости
СИ путем только относительных измерений, то погреш-
ность ее определения может составить 10-4. К настоящему
времени α с наименьшей погрешностью (10-5–10-6) опреде-
лена по измерениям тонкого и сверхтонкого расщепления.

   3.3. Микролитография
   Наряду с многочисленными применениями СИ в науч-
ных исследованиях есть ряд работ, имеющих важное при-
кладное значение, в частности применение СИ в микроли-
тографии. Около десяти лет назад американская фирма
IBM провела ряд исследований, показавших большие пре-
имущества применения СИ в микролитографии для полу-
чения элементов микросхем.
   Метод литографии применяется при производстве эле-
ментов современных полупроводниковых приборов (инте-
гральные схемы, микропроцессоры и др.) и заключается в
том, что со специально приготовленной маски на подлож-
ку переносится отображение. До последнего времени в ли-
тографии для воспроизведения масок использовались

                         - 143 -