Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 90 стр.

геновского поглощения в методе EXAFS и использовать ее
для структурных исследований (см. § 3.1).
   Существенно влияет на ход спектров возбуждения и по-
верхность кристаллов. Для анализа экспериментально на-
блюдаемого спектра возбуждения необходимо учитывать
не только коэффициенты отражения и поглощения кри-
сталла, но и длину диффузии электронных возбуждений.
Очень важны и кинетические закономерности возбужде-
ния люминесценции. И здесь нужно отметить, что наряду
со спектрами возбуждения стационарной люминесценции
СИ позволяет, если применить технику спектроскопии
временного разрешения (например, дисектор [34]), полу-
чить спектры возбуждения и люминесценции, разрешен-
ные во времени до 10-10 с [35].
   В рамках нашего изложения мы не можем охватить всех
работ по люминесценции с СИ, особенно по молекулярной
[8]. Мы обсудим далее общие закономерности возбужде-
ния люминесценции в области фундаментального погло-
щения кристаллов, опираясь на экспериментальные ре-
зультаты, полученные с применением СИ.

   2.6. Формирование спектра возбуждения люминес-
ценции кристаллов
   При воздействии на твердые тела электронов или фо-
тонов, энергия которых многократно превышает ширину
зоны запрещенных энергий, возникают электронные воз-
буждения (ЭВ). После малоизученных процессов размно-
жения электронных возбуждений (РЭВ) первичные ЭВ
трансформируются в большое число ЭВ меньшей энергии.
Процессы РЭВ проявляются в спектрах возбуждения соб-
ственной и примесной люминесценции, внутреннего и
внешнего фотоэлектрического эффекта.
   Первоначально элементарные процессы РЭВ наблюда-
лись в узкощелевых полупроводниках (Ge, Si) по харак-

                         - 89 -