Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 91 стр.

UptoLike

Составители: 

- 90 -
терному проявлению фотопроводимости с квантовым вы-
ходом η|>1 [36]. В дальнейшем явление РЭВ было обнару-
жено и исследовано по появлению возбуждаемой вакуум-
ным ультрафиолетовым излучением фотолюминесценции
с η>1 для многих широкощелевых ионных. кристаллов [31,
32]. В щелочно-галоидных кристаллах, для которых шири-
на зоны проводимости Е
c
, валентной зоны Е
v
и запре-
щенной зоны E
g
связаны неравенствами E
c
>E
g
и E
v
<E
g
,
РЭВ связано с созданием горячими фотоэлектронами вто-
ричных электронно-дырочных пар и вторичных экситонов.
В кристаллах типа ZnS, для которых E
c
>>E
g
и E
v
>>E
g
,
РЭВ связано с созданием вторичных электронно-дырочных
пар не только горячими фотоэлектронами, но и горячими
фотодырками. Применение СИ значительно расширило
возможности изучения РЭВ в широкозонных кристаллах
под действием фотонов с энергией 5—50 эВ.
Рассмотрим РЭВ при возбуждении СИ на примере
MgO. Кристаллы MgO являются одной из наиболее изу-
ченных модельных систем для целого класса радиационно-
стойких диэлектриков. Доминирующая в MgOА1 при-
месная люминесценция (5,3 эВ) возникает при рекомбина-
ции электронов с дырками, захваченными ассоциациями
ионов Аl
3+
с катионными вакансиями.
Основные оптические измерения проведены на ускорителе ФИАН
С-60, работающем в квазинакопительном режиме [18]. Основой уста-
новки является монохроматор нормального падения без входной щели
(см. § 1.4) [20]. Измерения по фотоэмиссии этих же кристаллов были
осуществлены на синхротроне-«Сириус» в ИЯФ Томского политехн.
ин-та [38]. Во всех этих измерениях использован опорный сигнал от
люминесцирующего салицилата натрия. Измерения спектра возбужде-
ния люминесценции MgO—А1 в областях 35—70 и 100—170 эВ осу-
ществлены Куусманном на установке FLIPPER накопителя DORIS
(ФРГ) [39], в качестве опорного сигнала использован фотодиод с золо-
тым катодом. Мы приводим результаты, полученные при комнатной
температуре.
терному проявлению фотопроводимости с квантовым вы-
ходом η|>1 [36]. В дальнейшем явление РЭВ было обнару-
жено и исследовано по появлению возбуждаемой вакуум-
ным ультрафиолетовым излучением фотолюминесценции
с η>1 для многих широкощелевых ионных. кристаллов [31,
32]. В щелочно-галоидных кристаллах, для которых шири-
на зоны проводимости Еc, валентной зоны Еv и запре-
щенной зоны Eg связаны неравенствами Ec>Eg и Ev>Eg и Ev>>Eg,
РЭВ связано с созданием вторичных электронно-дырочных
пар не только горячими фотоэлектронами, но и горячими
фотодырками. Применение СИ значительно расширило
возможности изучения РЭВ в широкозонных кристаллах
под действием фотонов с энергией 5—50 эВ.
   Рассмотрим РЭВ при возбуждении СИ на примере
MgO. Кристаллы MgO являются одной из наиболее изу-
ченных модельных систем для целого класса радиационно-
стойких диэлектриков. Доминирующая в MgO—А1 при-
месная люминесценция (5,3 эВ) возникает при рекомбина-
ции электронов с дырками, захваченными ассоциациями
ионов Аl3+ с катионными вакансиями.
    Основные оптические измерения проведены на ускорителе ФИАН
С-60, работающем в квазинакопительном режиме [18]. Основой уста-
новки является монохроматор нормального падения без входной щели
(см. § 1.4) [20]. Измерения по фотоэмиссии этих же кристаллов были
осуществлены на синхротроне-«Сириус» в ИЯФ Томского политехн.
ин-та [38]. Во всех этих измерениях использован опорный сигнал от
люминесцирующего салицилата натрия. Измерения спектра возбужде-
ния люминесценции MgO—А1 в областях 35—70 и 100—170 эВ осу-
ществлены Куусманном на установке FLIPPER накопителя DORIS
(ФРГ) [39], в качестве опорного сигнала использован фотодиод с золо-
тым катодом. Мы приводим результаты, полученные при комнатной
температуре.



                               - 90 -