Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 95 стр.

hv>2Eg часть дырок тоже имеет возможность распадаться,
однако их доля может быть оценена как (Ev–Eg)/Ev. Для
MgO нет окончательных оценок ширины валентной зоны,
однако даже в случае Ev=10 эВ вклад размножения дырок в
рост квантового выхода в области фотонного умножения
вряд ли превышает 20 %.
   Таким образом, находит свое объяснение ход квантово-
го выхода в области фотонного умножения. Заметный
подъем квантового выхода начинается не при 15,6 (2Eg), а
при 19 эВ и продолжается до 25 эВ. Затяжка подъема на 25
эВ может быть объяснена либо указанной выше фононной
релаксацией либо тем, что электроны с энергией больше
2Eg имеют очень малую вероятность распада (эффективное
смещение порога размножения из-за закона сохранения
импульса для разных ветвей валентной зоны и зоны про-
водимости); для случая, когда валентная зона и зона про-
водимости каждая описывается одной параболой, порог
размножения равен 2Eg/(1+me/mh); в случае большого чис-
ла ветвей порог приближается к 2Eg. Плавный рост кванто-
вого выхода до 25 эВ указывает на значительную ширину
валентной зоны Еv>6 эВ.
   Такая картина, однако, не объясняет спадов квантового
выхода за порогом фундаментального поглощения (от 8 до
17 эВ) и при энергии 25—30 эВ. Поведение квантового
выхода в этой области может быть объяснено в рамках
учета электронно-дырочных корреляции при рождении
электронно-дырочных пар. Если предположить, что веро-
ятность электронно-дырочной рекомбинации через экси-
тон или на примесном центре зависит от расстояния между
реагирующими частицами, то можно построить следую-
щую модель. На начальном этапе, непосредственно после
рождения основным каналом релаксации первичных или
вторичных электронов является релаксация на оптических
фононах. За это время электрон и дырка разбегаются на

                         - 94 -