Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 97 стр.

UptoLike

Составители: 

- 96 -
вательно, различным распределением интенсивности воз-
буждающего излучения по спектру, имеют некоторые ко-
личественные различия.
Рис. 2.14. Спектры:
а возбуждения люминесценции MgO—Al (сплошная линия) и MgO—Sn (пунктирная
линия; брассчитанный по формуле (2.12) спектр объемного квантового выхода η
об
при
длине диффузии L=500 нм (сплошная линия) и L=1000 нм (пунктирная линия)
На спектре фотоэмиссии MgO проявляются те же осо-
бенности, формирующие спектр возбуждения. Так кванто-
вый выход фотоэмиссии описывается формулой, анало-
гичной (2.12), с дополнительным множителем k(hv)L', где
L'—глубина выхода фотоэлектронов. Поэтому спектр фо-
товыхода во многом синбатен спектру поглощения. Одна-
ко при hν~19 эВ начинается падение выхода, связанное с
тем, что сильно увеличивается доля электронов с низкой
энергией, не способных вылететь за пределы кристалла.
При достижении 25 эВ начинается опять рост квантового
выхода фотоэмиссии, поскольку вторичные электроны,
число которых уже в 2 раза больше числа фотонов, начи-
нают опять вылетать из кристалла вследствие увеличения
своей энергии.
вательно, различным распределением интенсивности воз-
буждающего излучения по спектру, имеют некоторые ко-
личественные различия.




Рис. 2.14. Спектры:
а — возбуждения люминесценции MgO—Al (сплошная линия) и MgO—Sn (пунктирная
линия; б—рассчитанный по формуле (2.12) спектр объемного квантового выхода ηоб при
длине диффузии L=500 нм (сплошная линия) и L=1000 нм (пунктирная линия)


   На спектре фотоэмиссии MgO проявляются те же осо-
бенности, формирующие спектр возбуждения. Так кванто-
вый выход фотоэмиссии описывается формулой, анало-
гичной (2.12), с дополнительным множителем k(hv)L', где
L'—глубина выхода фотоэлектронов. Поэтому спектр фо-
товыхода во многом синбатен спектру поглощения. Одна-
ко при hν~19 эВ начинается падение выхода, связанное с
тем, что сильно увеличивается доля электронов с низкой
энергией, не способных вылететь за пределы кристалла.
При достижении 25 эВ начинается опять рост квантового
выхода фотоэмиссии, поскольку вторичные электроны,
число которых уже в 2 раза больше числа фотонов, начи-
нают опять вылетать из кристалла вследствие увеличения
своей энергии.




                                     - 96 -