Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 96 стр.

некоторое расстояние, возрастающее с ростом их началь-
ной энергии. Рекомбинация происходит уже во время
диффузии на тепловом этапе релаксации. С ростом началь-
ного разлета может уменьшаться вероятность рекомбина-
ции на примесном центре или через экситон, возможно, с
последующей передачей энергии центру свечения, и уве-
личивается вероятность других, возможно, безызлучатель-
ных, каналов релаксации—захват на ловушки, центры ту-
шения и т. д. Поэтому из-за наличия таких миграционных
потерь квантовый выход может падать. Разлет увеличива-
ется до энергий hv~2Eg.
   После размножения электроны и дырки вновь оказы-
ваются на небольшом расстоянии после горячего этапа ре-
лаксации и квантовый выход вновь возрастает. Это может
приводить к изменению квантового выхода непосредст-
венно перед порогом (с большим разлетом электронов и
дырок) и за порогом (с малым разлетом) более чем в 2 раза
в зависимости от глубины провала в области перед поро-
гом. С дальнейшим ростом энергии (для MgO при 25—30
эВ) разлет уже вторичных электронов и дырок увеличи-
вается, что приводит к падению квантового выхода, отра-
жающегося на спектрах возбуждения люминесценции про-
валом. Указанную точку зрения подтверждает тот факт,
что на спектрах образцов глубины провалов в областях
10—15 и 25—30 эВ коррелируют между собой: чем боль-
ше провал в первой области (например, в порошках
MgO—Sn по сравнению с кристаллом Mg—Al), тем боль-
ше он в области 25—30 эВ (рис. 2.14).
   К сожалению, количественное описание этих процессов
затруднено из-за ряда причин, например нелинейности об-
разцов и большой инерционности свечения (в частности,
MgO—А1). Это приводит к тому, что спектры возбужде-
ния люминесценции, снятые с применением решеток с
различным числом штрихов и разным покрытием и, следо-

                          - 95 -