Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 98 стр.

UptoLike

Составители: 

- 97 -
2.7. Фотонное умножение и спектры возбу-
ждения вторичных процессов
Рис. 2.15. Схема формирования квантового выхода в зависимости от
энергии фотона с учетом размножения и Оже-процессов с остовного
уровня
: а диаграмма разрешенных по энергии состояний в твердом теле. Тонкие
сплошные линии определяют области создания первичных электронных возбуждений.
Штрихпунктирныепорог размножения для горячих электронов. Пунктирныеобласти
вторичных электронов. Профили при различных энергиях падающих фотонов соответ-
ствуют плотностям электронов и дырок в зонах; бсредняя энергия электронов и дырок
после распада как функция энергии фотона; в среднее число электронов, родившихся
после поглощения одного фотона; г квантовый выход экситонного канала (сплошная
линия) и канала рекомбинации через центр (штриховая).
  2.7. Фотонное умножение и спектры возбу-
ждения вторичных процессов




Рис. 2.15. Схема формирования квантового выхода в зависимости от
энергии фотона с учетом размножения и Оже-процессов с остовного
уровня: а – диаграмма разрешенных по энергии состояний в твердом теле. Тонкие
сплошные линии определяют области создания первичных электронных возбуждений.
Штрихпунктирные – порог размножения для горячих электронов. Пунктирные – области
вторичных электронов. Профили при различных энергиях падающих фотонов соответ-
ствуют плотностям электронов и дырок в зонах; б – средняя энергия электронов и дырок
после распада как функция энергии фотона; в – среднее число электронов, родившихся
после поглощения одного фотона; г – квантовый выход экситонного канала (сплошная
линия) и канала рекомбинации через центр (штриховая).



                                      - 97 -