ВУЗ:
Составители:
- 99 -
уравнения входят лишь концентрации электронов и дырок, зависящие
не от энергии рождающих их фотонов, а только от интенсивности по-
тока фотонов на образец. В ряде работ предложено объяснение такого
рода зависимостей на основе «генетической» рекомбинации, т. е. на
основе учета корреляции электронов и дырок, рожденных в одном акте
поглощения фотона. Здесь будет рассмотрено влияние такого рода
корреляций в кристаллофосфоре, описываемом следующей моделью
[44].
Фотон возбуждающего света поглощается с рождением
электрона е и дырки h, которые затем термализуются, раз-
бегаясь в среднем на некоторое расстояние l, зависящее от
энергии падающего фотона. При этом они рассеиваются с
испусканием преимущественно оптических фононов
(предполагается, что энергии электрона и дырки пока не-
достаточно для рождения новых возбуждений электронно-
го типа в кристалле). Дальнейшая судьба электрона и дыр-
ки в рамках рассматриваемой модели может быть следую-
щей:
1) непосредственное связывание электрона и дырки в
экситон
e+h→ex
с возможным дальнейшим высвечиванием в полосе свече-
ния свободного или автолокализованного экситона с пере-
дачей энергии экситона центру свечения;
2) последовательная рекомбинация на положительном
центре по схеме
е + с
+
→ c
0
; h + c
0
→ c
*
+
с последующим высвечиванием возбужденного состояния
центра с*+ в соответствующей полосе свечения либо без-
ызлучательной релаксацией центра;
3) захват электрона на ловушку b и термическое осво-
бождение с этой ловушки
.; ebbbbe
kT
+→→+
−−
уравнения входят лишь концентрации электронов и дырок, зависящие
не от энергии рождающих их фотонов, а только от интенсивности по-
тока фотонов на образец. В ряде работ предложено объяснение такого
рода зависимостей на основе «генетической» рекомбинации, т. е. на
основе учета корреляции электронов и дырок, рожденных в одном акте
поглощения фотона. Здесь будет рассмотрено влияние такого рода
корреляций в кристаллофосфоре, описываемом следующей моделью
[44].
Фотон возбуждающего света поглощается с рождением
электрона е и дырки h, которые затем термализуются, раз-
бегаясь в среднем на некоторое расстояние l, зависящее от
энергии падающего фотона. При этом они рассеиваются с
испусканием преимущественно оптических фононов
(предполагается, что энергии электрона и дырки пока не-
достаточно для рождения новых возбуждений электронно-
го типа в кристалле). Дальнейшая судьба электрона и дыр-
ки в рамках рассматриваемой модели может быть следую-
щей:
1) непосредственное связывание электрона и дырки в
экситон
e+h→ex
с возможным дальнейшим высвечиванием в полосе свече-
ния свободного или автолокализованного экситона с пере-
дачей энергии экситона центру свечения;
2) последовательная рекомбинация на положительном
центре по схеме
е + с+→ c0; h + c0 → c*+
с последующим высвечиванием возбужденного состояния
центра с*+ в соответствующей полосе свечения либо без-
ызлучательной релаксацией центра;
3) захват электрона на ловушку b и термическое осво-
бождение с этой ловушки
kT
e + b → b− ; b− → b + e.
- 99 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 98
- 99
- 100
- 101
- 102
- …
- следующая ›
- последняя »
