ВУЗ:
Составители:
- 101 -
B
αβ
=4πD
αβ
a
αβ
.Без члена A(l(hv)) эта система может быть по-
лучена из обычной зонной картины. «Генетическая» до-
бавка к квантовому выходу A(hv), определяемая «экситон-
ной» рекомбинацией электрона и дырки, рожденных в од-
ном акте поглощения фотона, равна
∫ ∫
∞
+=
eh
eh
a
a
eh
drrrgadrrgrhA
0
2
.)(4)(4)(
ππν
(2.15)
Первый интеграл описывает частицы, сразу после терма-
лизации рекомбинирующие по «экситонному» каналу, по-
скольку расстояние между ними меньше радиуса сферы
захвата, второй—частицы, приходящие в сферу захвата в
процессе диффузии. На рис. 2.16 показаны рассчитанные в
достаточно простых предположениях зависимости кванто-
вого выхода «экситонного» канала от энергии возбуждаю-
щего фотона (Е
0
—энергия фотона, при которой горячий
разлет электрона и дырки равен радиусу сферы рекомбина-
ции), интенсивности возбуждающего света и температуры
образца. Видно, что в случае малой интенсивности зави-
симость от энергии возбуждающего фотона проявляется
наиболее сильно: квантовый выход быстро падает, если
разлет е и h становится много больше радиуса рекомбина-
ции, поскольку увеличивается доля пар, разбегающихся на
бесконечность в процессе тепловой диффузии (она равна
1—A). С ростом интенсивности возбуждающего света да-
же для «убежавших» электронов появляется возможность
рекомбинации с дыркой, рожденной в другом акте погло-
щения фотона, поэтому глубина провала уменьшается. Ес-
ли учитывать зависимость вероятности высвобождения
электрона из ловушки ω
T
от температуры с энергией акти-
вации ε
b
, то глубина провала также начинает зависеть от
температуры образца. При низких температурах диффузия
из-за длительного времени пребывания на ловушках эф-
фективно уменьшается, поэтому спектр возбуждения ста-
новится более плоским. В рамках рассмотренной модели
Bαβ=4πDαβaαβ.Без члена A(l(hv)) эта система может быть по- лучена из обычной зонной картины. «Генетическая» до- бавка к квантовому выходу A(hv), определяемая «экситон- ной» рекомбинацией электрона и дырки, рожденных в од- ном акте поглощения фотона, равна a eh ∞ A(hν ) = 4π ∫r 2 g (r )dr + 4πaeh ∫ rg (r )dr. (2.15) 0 a eh Первый интеграл описывает частицы, сразу после терма- лизации рекомбинирующие по «экситонному» каналу, по- скольку расстояние между ними меньше радиуса сферы захвата, второй—частицы, приходящие в сферу захвата в процессе диффузии. На рис. 2.16 показаны рассчитанные в достаточно простых предположениях зависимости кванто- вого выхода «экситонного» канала от энергии возбуждаю- щего фотона (Е0—энергия фотона, при которой горячий разлет электрона и дырки равен радиусу сферы рекомбина- ции), интенсивности возбуждающего света и температуры образца. Видно, что в случае малой интенсивности зави- симость от энергии возбуждающего фотона проявляется наиболее сильно: квантовый выход быстро падает, если разлет е и h становится много больше радиуса рекомбина- ции, поскольку увеличивается доля пар, разбегающихся на бесконечность в процессе тепловой диффузии (она равна 1—A). С ростом интенсивности возбуждающего света да- же для «убежавших» электронов появляется возможность рекомбинации с дыркой, рожденной в другом акте погло- щения фотона, поэтому глубина провала уменьшается. Ес- ли учитывать зависимость вероятности высвобождения электрона из ловушки ωT от температуры с энергией акти- вации εb, то глубина провала также начинает зависеть от температуры образца. При низких температурах диффузия из-за длительного времени пребывания на ловушках эф- фективно уменьшается, поэтому спектр возбуждения ста- новится более плоским. В рамках рассмотренной модели - 101 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 100
- 101
- 102
- 103
- 104
- …
- следующая ›
- последняя »