Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 104 стр.

экситонных состояний. При этом мы также пренебрегаем
отличием матричных элементов для рождения пары в со-
стоянии континуума и в связанном состоянии.
   Если в кристалле большое количество примесей, спо-
собных возбуждаться или ионизироваться электрическим
полем фотона или быстрого электрона, необходимо учи-
тывать плотность и этих электронных возбуждений. Тем
самым с единых позиций можно описать как ударную ио-
низацию примесей, так и размножение собственных элек-
тронных возбуждений в кристалле.
   Необходимо отметить, что в щелочно-галоидных кри-
сталлах в приближении узкой валентной зоны и постоян-
ного матричного элемента оптического перехода коэффи-
циент поглощения света с точностью до множителя совпа-
дает с плотностью состояний электронных возбуждений.
Приближения постоянства матричных элементов элек-
тронно-электронного взаимодействия и матричных эле-
ментов оптических переходов имеют один и тот же поря-
док точности. Поэтому использование вместо ρ(E) в фор-
муле коэффициента поглощения света κ(Е) с энергией фо-
тона hv=E не должно приводить к существенно большим
погрешностям, чем уже сделанные приближения. Ниже
будет показано, что даже еще более грубые предположе-
ния приводят к справедливым качественным зако-
номерностям.
   Помимо электрон-электронных соударений существует
и фононный механизм потери энергии электронных воз-
буждений. Для случая щелочно-галоидных кристаллов вы-
сокоэнергетические электроны взаимодействуют с оптиче-
скими фононами, причем при умеренных температурах с
подавляющей вероятностью происходит процесс испуска-
ния фононов. При этом будем считать, что фононы имеют
одинаковую частоту ћΩ. Вероятность испускания фонона
ωph предполагаем слабо зависящей от энергии электрона.

                        - 103 -