Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 103 стр.

квантовый выход рекомбинации на центре равен 1—η и
увеличивается с ростом энергии падающего фотона.




Рис. 2.16. Зависимость квантового выхода «экситонного» канала ре-
комбинации, интенсивности поглощенного единицей объема света I,
концентрации центров (а) и температуры кристаллофосфора (б) от
энергии падающего фотона; расчет проведен для n = n0, kT = 0,08 εb и n
= 5n0, cI/n20=10-3, С—множитель

   В описанной модели не рассматривалась область раз-
множения электронных возбуждений. Рассмотрим для
простоты процесс размножения в кристаллах с узкой ва-
лентной зоной. В области выше порога размножения элек-
тронных возбуждений наряду с электронно-электронными
соударениями существует и фононный механизм потери
энергии электронных возбуждений, в основном за счет
взаимодействия с оптическими фононами. Вероятность
испускания фонона обозначим ωph, вероятность электрон-
но-электронного рассеяния оказывается пропорциональной
свертке плотностей состояний для конечных электронных
возбуждений:
   ωe ~ α ∫ ρ ( E ′) ρ ( E − E ′)dE ′.           (2.16)

Этот процесс имеет пороговый характер по энергии. В
случае щелочно-галоидных кристаллов, для которых вели-
ка роль экситонных состояний, р(Е) должна содержать не
только плотность электронных состояний, но и плотность

                               - 102 -