Микроволновые технологии в телекоммуникационных системах. Михайлов В.Ф - 55 стр.

UptoLike

55
Выражения для волнового сопротивления Z
в
и эффективной диэ-
лектрической проницаемости ε
ef
МПЛ в замкнутой форме, согласно
[43, 44], имеют вид
в
120
/ 1,393 0,667 ln 1,444
ef
ww
Z
hh


++ +


ε


при w / h > 1,
в
60
ln 8 /
4
ef
w
Zhw
h

=+

ε

при w / h < 1;
()
11
22 /
rr
ef
Fwh
ε+ ε−
ε= +
,
где
()
/112/Fwh hw=+
при w / h > 1,
() ()
2
1
/1/ 0,041/
112/
Fwh wh
hw

=+

+

при w / h < 1.
Влияние частоты (дисперсия) на эффективную диэлектрическую про-
ницаемость можно учесть с погрешностью не более 2% (до частоты 100
ГГц), воспользовавшись выражением из [45]
() ()
()
()
50
0/1 /
m
ef r r ef
fff

ε=εεε +

,
где m = m
0
m
1
,
3
0
11
10,32
1/ 1/
m
wh wh

=+ +

++

,
()
1
50
1 при / 0,7,
1, 4
10,150,235exp0,45/при / 0,7,
1/
wh
m
ff wh
wh
=
+

+
()
1,73
50
/ 0,75 0,75 0,332 / /
TM r
ff wh

=+ε

.
()
()
()
8
01
310
arctg
0
20
ef
TM r
ref
ref
f
h

ε−


ε−ε
πεε

.
Волновое сопротивление с погрешностью не более 1% и с учетом
дисперсии можно вычислить по аппроксимационным формулам, пред-