Составители:
Рубрика:
57
Часто МПЛ конструктивно выполняется в экране (см. рис. 1.11, 5).
При этом происходит деформация электромагнитных полей, сопровождающа-
яся уменьшением потерь на излучение. Причем это влияние экрана тем боль-
ше, чем ближе он располагается к поверхности проводника МПЛ [48]. Влия-
ние высоты расположения экрана над подложкой (h
e
) на эффективную диэ-
лектрическую проницаемость иллюстрирует рис. 1.24. При h
e
> 10h влиянием
экрана можно пренебречь. Отметим, что при (h
e
–h)/h = 1 ε
ef
= 0,5(ε
r
+ 1)
независимо от размеров линии.
В настоящее время МПЛ и элементы на ее основе широко используют-
ся при формировании монолитных схем на GaAs. Простота технологичес-
кого формирования МПЛ, удобство установки в нее активных элементов
позволили МПЛ достичь 100 ГГц частотного рубежа своего применения.
Подвешенная и инвертированная полосковые линии
Подвешенная (ППЛ) и инвертированная (ИПЛ) линии передачи –
это два варианта МПЛ (см. рис. 1.11, 2 и 3), отличающиеся наличием
воздушного зазора между заземленной металлической плоскостью и под-
ложкой с полоской, который в технологических целях может быть за-
полнен диэлектриком с диэлектрической проницаемостью, меньшей, чем
у подложки.
Волновое сопротивление таких ИЛП [49]
вMПЛ
/
ef
ZZ=ε
,
где Z
MПЛ
– волновое сопротивление МПЛ с высотой подложки h
1
в
однородной (воздушной) среде
h
1
= h + h
p
для ППЛ; h
1
= h
p
для ИПЛ,
где h – толщина подложки ИЛП; h
p
– расстояние от диэлектрической
подложки линии до земляной металлизации.
Коэффициент укорочения длины волны:
для ППЛ
()
11
1
1ln//
pr
p
ef
h
ab wh
h
=+ − ε
ε
,
где
44
11
0,8621 0,1251ln , 0,4986 0,1397ln
pp
hh
ab
hh
=− =−
;
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 55
- 56
- 57
- 58
- 59
- …
- следующая ›
- последняя »
