Микроволновые технологии в телекоммуникационных системах. Михайлов В.Ф - 56 стр.

UptoLike

56
ложенным в [46]. Все расчетные выражения справедливы при выполне-
нии следующих условий:
0,1 < w / h 10; 1 < ε
r
128.
Важной характеристикой МПЛ является погонное затухание элект-
ромагнитной волны в линии. В регулярной МПЛ затухание волны оп-
ределяется потерями в диэлектрике, металлических проводниках и на
излучение. Таким образом, коэффициент затухания в МПЛ определяет-
ся выражением
α = α
д
+ α
м
+α
и
.
В случае открытой линии коэффициент затухания в диэлектрике мо-
жет быть вычислен по приближенной формуле
д
0
1
27,3
1
ef
r
r
ef
tg
ε−
ε
δ
α=
ε− λ
ε
, дБ/м .
Коэффициент затухания на излучение можно найти из выражения
[47]
2
и
2
в
0
320 h
Z

π
α=


λ

.
Если толщина проводников МПЛ значительно превышает глубину
проникновения поля в металл, то для приближенной оценки коэффи-
циента затухания в металле используют соотношение
()
мв
8, 7 /
S
RZw
α=
,
где R
S
– поверхностное сопротивление металла.
9
2,3
2,4
2,5
2,6
w/h = 2
1
23
4
5
67
8
1
0,6
0,2
0,3
e
hh
h
ef
ε
Рис. 1.24. Зависимость коэффициента укорочения волны в МПЛ относительной высоты
расположения экрана (ε = 9,6)