Исследование электрофизических свойств полупроводников. Миттова И.Я - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

7
В случае измерения удельного сопротивления сущность метода заключается
в следующем. На периферии плоского образца (рис.3) создаются четыре контакта :
A, B, C и D. Измеряются два сопротивления: R
ABCD
= U
CD
/I
AB
и R
BCDA
= U
DA
/I
BC.
Теоретически установлено, что удельная электропроводность может быть найдена
по уравнению :
1/σ = (π/ln2)[ (R
ABCD
+ R
BCDA
)/2] (R
ABCD
/R
BCDA
) f d, (5)
где , d - толщина образца (должна быть много меньше расстояния между
контактами);
f - табулированная функция поправок зависящая от соотношения R
ABCD
/R
BCDA
(значения этой функции приведены в табл . 1).
A
B
C
D
Рис. 3. Схема расположения зондов при измерении электрофизических
свойств полупроводников методом Ван дер Пау. 
                                            7
      В случае изме ре ния уде льногосопротивле ния сущ ность ме тода заклю чае тся
в сле дую щ е м. Н а пе риф е рии плоскогообразца (рис.3) создаю тся че ты ре контакта :
A, B, C и D. И зме ряю тся два сопротивле ния: RABCD = UCD/IAB и RBCDA = UDA/IBC.
Т е оре тиче ски установле но, чтоуде льная эле ктропроводность мож е т бы ть найде на
поуравне нию :

                  1/σ = (π/ln2)[ (RABCD + RBCDA )/2] (RABCD /RBCDA) f d,             (5)

       где , d - толщ ина образца (долж на бы ть многоме ньш е расстояния ме ж ду
контактами);
           f - табулированная ф ункция поправок зависящ ая от соотнош е ния RABCD
/RBCDA (значе ния этойф ункции приве де ны в табл. 1).




                                       A
                                                                   B




                               D
                                                           C




      Рис. 3. Сх е ма располож е ния зондов при изме ре нии эле ктроф изиче ских
               свойств полупроводников ме тодом В ан де р П ау.

Страницы