Исследование электрофизических свойств полупроводников. Миттова И.Я - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

5
Рис. 1. Температурная зависимость удельной электропроводности
полупроводника .
Энергия активации примесного уровня определяется участком 2:
tgα = ∆E
1
/2k (3б)
Наиболее простым способом измерения удельной электропроводности для
образцов в форме параллелепипеда является двухзондовый метод , схема которого
представлена на рис. 2.
На этом рисунке показана компенсационная схема измерения удельной
электропроводности, принцип действия которой заключается в следующем. При
прохождении тока I через торцевые грани образца с нанесенными на них
омическими контактами (1,2) на поверхности образца , между зондами (3,4)
возникает разность потенциалов U. Подбирается величина переменного
сопротивления R таким образом , что ток через гальванометр становится равным
нулю . 
                                              5




         Рис.   1.    Т е мпе ратурная   зависимость      уде льной   эле ктропроводности
                     полупроводника.


         Эне ргия активации приме сногоуровня опре де ляе тся участком 2:

                                          tgα = ∆E1 /2k                             (3б)

         Н аиболе е просты м способом изме ре ния уде льной эле ктропроводности для
образцов в ф орме паралле ле пипе да являе тся двух зондовы й ме тод, сх е ма которого
пре дставле на на рис. 2.
         Н а этом рисунке показана компе нсационная сх е ма изме ре ния уде льной
эле ктропроводности, принцип де йствия которой заклю чае тся в сле дую щ е м. П ри
прох ож де нии тока I че ре з торце вы е грани образца с нане се нны ми на них
омиче скими контактами (1,2) на пове рх ности образца, ме ж ду зондами (3,4)
возникае т разность поте нциалов U. П одбирае тся ве личина                пе ре ме нного
сопротивле ния R таким образом, чтоток че ре з гальваноме тр становится равны м
нулю .

Страницы