Исследование электрофизических свойств полупроводников. Миттова И.Я - 6 стр.

UptoLike

6
A
R
Г
L
1
2
34
Рис. 2. Компенсационная схема измерения удельной электропроводности
двухзондовый методом .
В этом случае находим: U = RI, далее удельная электропроводность
рассчитывается по формуле:
σ = LI/SU, (4)
где L - расстояние между зондами;
S - площадь сечения образца .
В практике современной микроэлектроники наиболее часто приходится
иметь дело с образцами плоской формы (кремниевые пластины ,
полупроводниковые пленки и т. д.). Для таких образцов был разработан
специальный метод измерения электрофизических свойств , называемый методом
Ван дер Пау. Достоинством данного метода является его независимость от формы
края плоского образца .
                                                6




                                               R
                                                                              Г
                                        3           L        4

                            1                                             2




                                                                  A
         Рис. 2. К омпе нсационная сх е ма изме ре ния уде льной эле ктропроводности
                         двух зондовы йме тодом.


         В   этом случае нах одим: U = RI, дале е уде льная эле ктропроводность
рассчиты вае тся поф ормуле :

                                            σ = LI/SU,                                    (4)

         где L - расстояние ме ж дузондами;
             S - площ адь се че ния образца.
         В практике совре ме нной микроэле ктроники наиболе е часто прих одится
име ть       де ло   с   образцами      плоской         ф ормы    (кре мние вы е   пластины ,
полупроводниковы е пле нки и т.д.). Д ля таких                   образцов бы л разработан
спе циальны й ме тод изме ре ния эле ктроф изиче ских свойств, назы вае мы й ме тодом
В ан де р П ау. Д остоинством данногоме тода являе тся е гоне зависимость от ф ормы
края плоскогообразца.