ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
6
A
R
Г
L
1
2
34
Рис. 2. Компенсационная схема измерения удельной электропроводности
двухзондовый методом .
В этом случае находим: U = RI, далее удельная электропроводность
рассчитывается по формуле:
σ = LI/SU, (4)
где L - расстояние между зондами;
S - площадь сечения образца .
В практике современной микроэлектроники наиболее часто приходится
иметь дело с образцами плоской формы (кремниевые пластины ,
полупроводниковые пленки и т. д.). Для таких образцов был разработан
специальный метод измерения электрофизических свойств , называемый методом
Ван дер Пау. Достоинством данного метода является его независимость от формы
края плоского образца .
6 R Г 3 L 4 1 2 A Рис. 2. К омпе нсационная сх е ма изме ре ния уде льной эле ктропроводности двух зондовы йме тодом. В этом случае нах одим: U = RI, дале е уде льная эле ктропроводность рассчиты вае тся поф ормуле : σ = LI/SU, (4) где L - расстояние ме ж дузондами; S - площ адь се че ния образца. В практике совре ме нной микроэле ктроники наиболе е часто прих одится име ть де ло с образцами плоской ф ормы (кре мние вы е пластины , полупроводниковы е пле нки и т.д.). Д ля таких образцов бы л разработан спе циальны й ме тод изме ре ния эле ктроф изиче ских свойств, назы вае мы й ме тодом В ан де р П ау. Д остоинством данногоме тода являе тся е гоне зависимость от ф ормы края плоскогообразца.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »