Основы нанофизики. Моисеев С.Г - 10 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

речь идет о внешней границе пленки и о границе пленки-подложки.

Для гетероструктур роль таких поверхностей играют гетеропереходы ме-

жду различными полупроводниками. Характер отражения носителей от

указанных границ должен быть близок к зеркальному, то есть должен

происходить с сохранением компоненты импульса, параллельной границе.

Если это не так, то при каждом отражении от границы частица «забывает»

о своем состоянии до отражения, то есть на границе происходит эффек-

тивное рассеяние. При этом длина пробега становится равной L и наруша-

ется упомянутое выше условие

Ll 

. Для реализации зеркального отра-

жения на границах необходимо, чтобы размеры шероховатостей, неиз-

бежно существующих на любой поверхности, были меньше дебройлев-

ской длины волны носителей. Кроме того, границы не должны содержать

высокой плотности заряженных центров, приводящих к дополнительному

рассеянию.