Основы нанофизики. Моисеев С.Г - 11 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

2. ЧАСТИЦА В ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ЯМЕ

КОНЕЧНОЙ ГЛУБИНЫ

При выращивании пленки узкозонного полупроводника между дву-

мя слоями широкозонного материала может быть реализован рельеф по-

тенциальной энергии, показанный на рис. 2.1. В этом случае задача опре-

деления стационарных состояний движения электрона сводится к задаче о

поведении частицы в прямоугольной потенциальной яме. При



говорят о потенциальной яме с асимметричными стенками, если же

 UU

потенциальной яме с симметричными стенками.

Рис. 2.1

Рассмотрим более общий случай – случай асимметричной

потенциальной ямы. Тогда движение частицы происходит в потенциаль-

ном поле следующего вида:

(2.1)

Для определенности возьмем (см. на рис. 2.1).

= 0