Основы нанофизики. Моисеев С.Г - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

29
Минимальные значения и соответствующие им значения
можно приближенно оценить из условия
.
Отсюда
, (5.7)
. (5.8)
С ростом номера n и уменьшением ширины L величина быстро
возрастает, так что осцилляции становятся менее выраженными.
Увеличение высоты барьера , напротив, уменьшает , увеличивая
амплитуду осцилляций (рис. 5.1), при этом соответствующие «антирезо-
нансные» значения остаются постоянными.
Сделанные выводы справедливы и в случае несимметричного барье-
ра. Однако при этом значение будет меньше единицы, поэтому все
эффекты выражены слабее.
Исходя из аналогии с классической физикой надбарьерное отраже-
ние следует отнести к интерференционным эффектам, возникающим для
дебройлевских волн, взаимодействующим с границами раздела областей с
разным потенциалом. Именно интерференционные эффекты приводят к
квазипериодической осцилляции коэффициентов отражения R и прохож-
дения D частиц при изменении их энергии E или параметров барьера. От-
метим также, что вследствие интерференции дебройлевских волн, отра-
женных от границ барьера, существуют избранные значения энергии, при
которых амплитуда волновой функции в области барьера будет больше,
чем в других областях.
В реальных полупроводниковых структурах над барьером могут
проходить лишь «горячие» электроны, поэтому наблюдать
и тем более ис-
следовать на практике квантовые осцилляции вероятности надбарьерного
прохождения носителей заряда достаточно трудно. Усиление эффекта за
счет более высоких барьеров требует соответствующего повышения энер-
гии электронов. Кроме того, уменьшение коэффициента прохождения при
увеличении энергии электронов, которое в принципе могло бы привести к
появлению падающего участка на ВАХ структуры
, реально оказывается
либо малым, либо происходит на интервале энергий 0,03 – 0,05 эВ, срав-
нимом с тепловым разбросом при комнатной температуре, и поэтому при
температурах выше комнатной сильно размыто.

Страницы