Составители:
Рубрика:
увеличением концентрации носителей. На явлении лавинного пробоя основана ра-
бота некоторых полупроводниковых приборов (например, стабилитрона).
ВАХ полупроводниковых диодов имеет форму, приведенную на рисунке 5.1.
V
ст
1
3
I
V
2
Рис. 5.1: ВАХ полупроводникового диода
Она имеет три области. Область 1 - прямая ветвь ВАХ. В этой области сопро-
тивление диода мало, и он хорошо пропускает ток. Область 2 - обратная ветвь
ВАХ. Такое направление приложенного к диоду напряжения называют запираю-
щим, так как в этой области сопротивление диода велико, и ток очень мал. Область
3 соответсвует электрическому пробою, в результате которого ток резко возрастает
при увеличении приложенного напряжения.
Для выпрямления электрического тока используют области 1 и 2. На рис. 5.2
приведена простейшая схема выпрямителя.
R
1
U
вх
U
вых
Рис. 5.2: Простейший выпрямитель
Если сопротивление R
1
намного больше сопротивления диода на прямой ветви,
но намного меньше его обратного сопротивления, при подаче на вход положитель-
ного напряжения всё оно будет падать на резисторе R
1
.Еслиженавходподать
отрицательное напряжение, всё оно будет падать на диоде, и на выходе окажется
нулевое напряжение.
На рисунке 5.3 приведена схема простейшего стабилизатора напряжения. Если
сопротивление R
2
намного больше сопротивления диода в области электрического
пробоя, при приложении на вход напряжения, превышающего напряжение стаби-
лизации V
ст
,навыходеокажетсяU
вых
≈ V
ст
- напряжение, падающее на стабили-
троне (диоде, работающем в режиме электрического пробоя). На резисторе падает
напряжение U
вх
− V
ст
.
59
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 59
- 60
- 61
- 62
- 63
- …
- следующая ›
- последняя »
