Физика твердого тела. Кристаллическая структура. Фононы. Морозов А.И. - 52 стр.

UptoLike

Составители: 

52
пустующее место в кристаллической решетке, которое он должен
занимать в идеальном кристалле. В результате того пара
дефектов вакансиямежузельный атом исчезнет (аннигилирует).
Возможен и обратный процесс. действием теплового
возбуждения или вследствие облучения быстрыми частицами
атом из узла кристалл ческой решетки может ерейти в
междоузлие, в результате чего родятся два дефекта: акансия
и
межузельный атом.
э
Под
и п
в
M
Рис.4.1. Междоузлие
Другой тип точе примеси. Примесь
том элемента, не входящего в состав идеального кристалла. Если
н ра
п
роста
на
ля изменения его физических характеристик,
чных дефектов это
а
о сположен в узле кристаллической решетки на месте атома
другого элемента, входящего в состав идеального кристалла, то
примесь называется примесью замещения. Если же примесь
расположена в междоузлии, то она называется примесью
внедрения. В реальных кристаллах всегда существуют римеси,
попавшие в него в процессе кристалла. Так, например,
наиболее чистые монокристаллы металлов содержат
концентрацию примесей кислорода и азота на уровне нескольких
ppm (part per million), то есть нескольких атомов миллион
атомов кристалла.
Примеси могут вводиться в состав кристалла
целенаправленно д
например
, в процессе легирования полупроводников.
                              52

пустующее место в кристаллической решетке, которое он должен
занимать в идеальном кристалле. В результате этого пара
дефектов вакансия – межузельный атом исчезнет (аннигилирует).
Возможен и обратный процесс. Под действием теплового
возбуждения или вследствие облучения быстрыми частицами
атом из узла кристаллической решетки может перейти в
междоузлие, в результате чего родятся два дефекта: вакансия и
межузельный атом.



                               M




                     Рис.4.1. Междоузлие

     Другой тип точечных дефектов это примеси. Примесь –
атом элемента, не входящего в состав идеального кристалла. Если
он расположен в узле кристаллической решетки на месте атома
другого элемента, входящего в состав идеального кристалла, то
примесь называется примесью замещения. Если же примесь
расположена в междоузлии, то она называется примесью
внедрения. В реальных кристаллах всегда существуют примеси,
попавшие в него в процессе роста кристалла. Так, например,
наиболее    чистые      монокристаллы     металлов    содержат
концентрацию примесей кислорода и азота на уровне нескольких
ppm (part per million), то есть нескольких атомов на миллион
атомов кристалла.
     Примеси     могут     вводиться   в    состав   кристалла
целенаправленно для изменения его физических характеристик,
например, в процессе легирования полупроводников.