ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
53
4.2. Линейные дефекты
Линейные дефекты – дислокации, изменяют свойства
о б
краевой дислокации представляет собой линию
бры 4
н плоскости
кристалла в окрестности некой линии, вследствие чего и
получили св е название. Дислокации ывают краевые и
винтовые.
Линия
о ва атомной плоскости внутри кристалла (рис. .2). Эта линия
может замыкаться внутри кристалла, ограничивая некий
фрагме т атомной , либо выходить концами
на
поверхность кристалла.
C
D
A
BE
Рис.4.2. Краевая дислокация
Наряду с линией дислокация характеризуется вектором
к
и
Бюргерса
b
r
- ве тором смещения атома при обходе вокруг линии
дислокаци . Правила обхода мы продемонстрируем на примере
контура ABCDE. Стартуя из точки А мы делаем четыре шага
вправо от атома к атому до точки В, затем четыре шага вниз до
точки С, потом четыре (ровно столько же, сколько вправо) шагов
влево до точки
D, и, наконец, четыре (ровно столько же, сколько
вниз) шага вверх до точки Е. В случае, когда линия дислокации
53
4.2. Линейные дефекты
Линейные дефекты – дислокации, изменяют свойства
кристалла в окрестности некой линии, вследствие чего и
получили свое название. Дислокации бывают краевые и
винтовые.
Линия краевой дислокации представляет собой линию
обрыва атомной плоскости внутри кристалла (рис.4.2). Эта линия
может замыкаться внутри кристалла, ограничивая некий
фрагмент атомной плоскости, либо выходить концами на
поверхность кристалла.
E A B
D C
Рис.4.2. Краевая дислокация
Наряду
r с линией дислокация характеризуется вектором
Бюргерса b - вектором смещения атома при обходе вокруг линии
дислокации. Правила обхода мы продемонстрируем на примере
контура ABCDE. Стартуя из точки А мы делаем четыре шага
вправо от атома к атому до точки В, затем четыре шага вниз до
точки С, потом четыре (ровно столько же, сколько вправо) шагов
влево до точки D, и, наконец, четыре (ровно столько же, сколько
вниз) шага вверх до точки Е. В случае, когда линия дислокации
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- …
- следующая ›
- последняя »
