Физика твердого тела. Кристаллическая структура. Фононы. Морозов А.И. - 55 стр.

UptoLike

Составители: 

55
дислокации. Таким образом, вектор Бюргерса винтовой
дислокации п раллеле ее линии.
Дислокации определяют
а н
прочностные характеристики
н
.
альных кристаллах.
4.3. Плоские дефекты
Самым заметным плоским является поверхность
крист
в
, б т
п р р
.
о
оликристаллами. Так,
напр
кристалла. С их движением связа а пластическая деформация, а с
накоплениемобразование трещин и разрушение. Но эти
вопросы лежат за пределами данного курса
Дислокации всегда присутствуют в ре
Характерная концентрация дислокаций составляет для металлов
10
11
м
-2
, а для диэлектриков 10
8
м
-2
. Точку выхода дислокации на
поверхность кристалла можно обнаружить методом травления.
Травление (разрушение) кристалла начинается вблизи точек
выхода дислокации, там, где велика энергия упругих искажений.
В результате на поверхности кристалла возникают лунки,
которые можно наблюдать в микроскоп.
дефектом
алла. Безусловно, физические характеристики
вблизи
поверхности отличаются от таковых объеме кристалла. Это
отличие, как правило, захватывает несколько межатомных
расстояний в глубину. Проблемы, связанные с влиянием
поверхности ставятся все олее актуальными по мере ого, как в
современных технологиях и, в частности, в электронике
происходит ереход от мик онных разме ов отдельных
элементов к нанометровым В случае, когда
линейный размер
элемента составляет десятки - сотни межатомных расстояний,
относительная доля поверхностной области с измененными
параметрами становится весьма заметн й.
На практике мы часто имеем дело с п
имер, все окружающие нас металлические изделия являются
поликристаллическими: они состоят из отдельных зерен
кристаллов, размером единицыдесятки микрон. Ориентация
кристаллической решетки меняется случайным
образом от зерна
к зерну. Поэтому физические свойства поликристалла могут быть
изотропными несмотря на анизотропию свойств отдельного
                               55

дислокации. Таким образом, вектор Бюргерса винтовой
дислокации параллелен ее линии.
     Дислокации определяют прочностные характеристики
кристалла. С их движением связана пластическая деформация, а с
накоплением – образование трещин и разрушение. Но эти
вопросы лежат за пределами данного курса.
     Дислокации всегда присутствуют в реальных кристаллах.
Характерная концентрация дислокаций составляет для металлов
1011 м -2, а для диэлектриков 108 м -2. Точку выхода дислокации на
поверхность кристалла можно обнаружить методом травления.
Травление (разрушение) кристалла начинается вблизи точек
выхода дислокации, там, где велика энергия упругих искажений.
В результате на поверхности кристалла возникают лунки,
которые можно наблюдать в микроскоп.

                    4.3. Плоские дефекты

     Самым заметным плоским дефектом является поверхность
кристалла. Безусловно, физические характеристики вблизи
поверхности отличаются от таковых в объеме кристалла. Это
отличие, как правило, захватывает несколько межатомных
расстояний в глубину. Проблемы, связанные с влиянием
поверхности, ставятся все более актуальными по мере того, как в
современных технологиях и, в частности, в электронике
происходит переход от микронных размеров отдельных
элементов к нанометровым. В случае, когда линейный размер
элемента составляет десятки - сотни межатомных расстояний,
относительная доля поверхностной области с измененными
параметрами становится весьма заметной.
     На практике мы часто имеем дело с поликристаллами. Так,
например, все окружающие нас металлические изделия являются
поликристаллическими: они состоят из отдельных зерен –
кристаллов, размером единицы – десятки микрон. Ориентация
кристаллической решетки меняется случайным образом от зерна
к зерну. Поэтому физические свойства поликристалла могут быть
изотропными несмотря на анизотропию свойств отдельного