ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
57
Рис.4.5. Плоскость двойникования
кты
К таков внутри
кристаллической решетки, размеры которых намного превышают
азме от ва вк вещ
об
Энергия связи кристалла
Приступим ами (ионами),
оторые приводят к возникновению кристаллического состояния.
4.4. Объемные (трехмерные) дефе
ым относятся пустоты (поры)
р р дельной кансии, и лючения другого ества.
Часто при изготовлении кристаллов, содержащих атомы разных
элементов, не удается соблюсти необходимого соотношения
между элементами (например, 1:1). Тогда внутри
кристаллической решетки соединения, отвечающего искомому
соотношению элементов 1:1, возникают включения ъемной
кристаллической решетки другого химического соединения,
состоящего из тех же элементов, но в другом соотношении
(например, 2:1).
5.
к изучению связей между атом
к
Отметим с самого начала, что в их основе лежит
электромагнитное взаимодействие. Гравитационное
57
Рис.4.5. Плоскость двойникования
4.4. Объемные (трехмерные) дефекты
К таковым относятся пустоты (поры) внутри
кристаллической решетки, размеры которых намного превышают
размер отдельной вакансии, и включения другого вещества.
Часто при изготовлении кристаллов, содержащих атомы разных
элементов, не удается соблюсти необходимого соотношения
между элементами (например, 1:1). Тогда внутри
кристаллической решетки соединения, отвечающего искомому
соотношению элементов 1:1, возникают включения объемной
кристаллической решетки другого химического соединения,
состоящего из тех же элементов, но в другом соотношении
(например, 2:1).
5. Энергия связи кристалла
Приступим к изучению связей между атомами (ионами),
которые приводят к возникновению кристаллического состояния.
Отметим с самого начала, что в их основе лежит
электромагнитное взаимодействие. Гравитационное
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 55
- 56
- 57
- 58
- 59
- …
- следующая ›
- последняя »
