ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
10
преобладают примесные носители (примесный полупроводник).
С ростом температуры могут начать преобладать собственные
носители заряда. Полупроводник из примесного может стать
собственным. Характерная температура перехода зависит от
концентрации доноров (акцепторов), положения примесного
уровня и ширины запрещенной зоны. Она может оказаться
больше комнатной (и даже температуры плавления
полупроводника). Нас интересует, какой тип носителей
преобладает
в рабочем диапазоне температур. Если преобладает
примесные носители заряда электронного типа, то
полупроводник называют полупроводником n-типа, а если
примесные носители дырочного типа - то полупроводником р –
типа
Условие электронейтральности в присутствии доноров и
(или) акцепторов имеет следующий вид:
ион
a
N
ион
d
Nn
e
n
−=−
h
, (1.13)
где
ион
d
N
и
ион
a
N
- концентрации ионизованных (заряженных)
доноров и акцепторов, соответственно.
Найдем концентрацию носителей заряда в полупроводнике
n-типа. Пренебрегая собственными носителями заряда, можно
положить
0=
h
n
(
h
n
e
n
>>
). Тогда условие электронейтральности
примет вид
ион
d
N
e
n =
. (1.14)
Вероятность того, что донор окажется ионизованным в
равновесном состоянии, то есть вероятность того, что донорный
уровень не заселен, равна
)(
0
1
d
F
ε
−
. Пусть концентрация
доноров равна
d
N
.Тогда концентрация ионизованных доноров
))(
0
1(
d
F
d
N
d
N
ε
−
=
. (1.15)
Подставив (1.7) и (1.15) в условия электронейтральности (1.14),
получаем
10
преобладают примесные носители (примесный полупроводник).
С ростом температуры могут начать преобладать собственные
носители заряда. Полупроводник из примесного может стать
собственным. Характерная температура перехода зависит от
концентрации доноров (акцепторов), положения примесного
уровня и ширины запрещенной зоны. Она может оказаться
больше комнатной (и даже температуры плавления
полупроводника). Нас интересует, какой тип носителей
преобладает в рабочем диапазоне температур. Если преобладает
примесные носители заряда электронного типа, то
полупроводник называют полупроводником n-типа, а если
примесные носители дырочного типа - то полупроводником р –
типа
Условие электронейтральности в присутствии доноров и
(или) акцепторов имеет следующий вид:
ne − nh = N dион − N aион , (1.13)
где N ион и N aион - концентрации ионизованных (заряженных)
d
доноров и акцепторов, соответственно.
Найдем концентрацию носителей заряда в полупроводнике
n-типа. Пренебрегая собственными носителями заряда, можно
положить n = 0 ( ne >> nh ). Тогда условие электронейтральности
h
примет вид
ne = N ион . (1.14)
d
Вероятность того, что донор окажется ионизованным в
равновесном состоянии, то есть вероятность того, что донорный
уровень не заселен, равна 1 − F0 (ε d ) . Пусть концентрация
доноров равна N .Тогда концентрация ионизованных доноров
d
N d = N d (1 − F0 (ε d )) . (1.15)
Подставив (1.7) и (1.15) в условия электронейтральности (1.14),
получаем
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
