ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
4
и максимуму энергии в валентной зоне, соответственно.
Если эти состояния отвечают одному и тому же значению
волнового вектора (рис.1.1а) то щель (запрещенная область
энергий) называется прямой (d), а если разным значениям
(рис.1.1б), то непрямой (i).
ε
k
ε
k
а б
Рис.1.1.
Ниже приведена таблица, характеризующая тип щели для
наиболее часто встречающихся полупроводников.
Табл.1
g
E
(эВ)
Полупроводник
при Т=0 К при Т=300 К
Тип щели
Si 1,17 1,14 i
Ge 0,74 0,67 i
InSb 0,23 0,18 d
GaAs 1,52 1,43 d
PbTe 0,19 0,30 d
Алмаз 5,4 i
4
и максимуму энергии в валентной зоне, соответственно.
Если эти состояния отвечают одному и тому же значению
волнового вектора (рис.1.1а) то щель (запрещенная область
энергий) называется прямой (d), а если разным значениям
(рис.1.1б), то непрямой (i).
ε ε
k k
а б
Рис.1.1.
Ниже приведена таблица, характеризующая тип щели для
наиболее часто встречающихся полупроводников.
Табл.1
Полупроводник Eg(эВ) Тип щели
при Т=0 К при Т=300 К
Si 1,17 1,14 i
Ge 0,74 0,67 i
InSb 0,23 0,18 d
GaAs 1,52 1,43 d
PbTe 0,19 0,30 d
Алмаз 5,4 i
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
