ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
14
возможность наблюдать расположение отдельных атомов в кристаллической
решетке. Изобретен ионный микроскоп был в 1951 году Э.Мюллером. Кратко
рассмотрим устройство ионного микроскопа (рис. 7а).
Положительным электродом и одновременно объектом исследования,
поверхность которого изображается на экране, служит острие тонкой
проводящей проволоки. Колба заполнена газообразным гелием, атомы He
ионизируются в сильном электрическом поле вблизи поверхности
острия,
отдавая ему свои электроны. Положительные ионы приобретают под действием
поля радиальное ускорение и устремляются к флюоресцирующему экрану
(потенциал которого отрицателен) и бомбардируют его. Свечение каждого
элемента экрана пропорционально плотности приходящегося на него ионного
тока. Давление газа очень мало, так что расстояние от острия до экрана меньше
длины свободного пробега
. Поэтому свечение на экране воспроизводит в
увеличенном масштабе распределение вероятности образования ионов He
вблизи острия, отражающее структуру поверхности объекта. Масштаб
увеличения примерно равен отношению радиуса экрана к радиусу кривизны
(а) (б)
Рис. 7.
возможность наблюдать расположение отдельных атомов в кристаллической решетке. Изобретен ионный микроскоп был в 1951 году Э.Мюллером. Кратко рассмотрим устройство ионного микроскопа (рис. 7а). Положительным электродом и одновременно объектом исследования, поверхность которого изображается на экране, служит острие тонкой проводящей проволоки. Колба заполнена газообразным гелием, атомы He ионизируются в сильном электрическом поле вблизи поверхности острия, отдавая ему свои электроны. Положительные ионы приобретают под действием поля радиальное ускорение и устремляются к флюоресцирующему экрану (потенциал которого отрицателен) и бомбардируют его. Свечение каждого элемента экрана пропорционально плотности приходящегося на него ионного тока. Давление газа очень мало, так что расстояние от острия до экрана меньше длины свободного пробега. Поэтому свечение на экране воспроизводит в увеличенном масштабе распределение вероятности образования ионов He вблизи острия, отражающее структуру поверхности объекта. Масштаб увеличения примерно равен отношению радиуса экрана к радиусу кривизны (а) (б) Рис. 7. 14
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »