ВУЗ:
Составители:
28
4. Определение искомого перегрева поверхности корпуса микросхемы:
( )
,
)(
)(
...
)(
1
1)(
)(
)(
)(
)(
1
1
0
1
пэкв
1
ис0ис
2
з
ис0ис
0
0
0
1
пэкв
2
з
з
ис0ис
вис
δλπ+
→
→
−
+
πλ
δ
+−
+
+
δλπ+
+
πλ
δ
+−
+∆=∆
∑
=
α
α
α
i
i
ii
N
i
iii
iзi
i
iii
i
i
i
mRK
mRK
mRMB
SSk
R
SSk
mRK
mrK
Q
mRK
mRK
mRMB
R
SSk
Q
ktt
(1.54)
где B и M – условные величины, введённые для упрощения формы
записи: при одностороннем расположении корпусов микросхем на ПП
B = 8,5πR
2
Вт/К, M = 2; при двустороннем расположении корпусов B = 0,
M = 1; k – эмпирический коэффициент: для корпусов микросхем, центр
которых отстоит от торцов ПП на расстоянии менее 3R, k = 1,14; для кор-
пусов микросхем, центр которых отстоит от торцов ПП на расстоянии
более 3R, k = 1, k
α
– коэффициент теплоотдачи от корпусов микросхем
определяется по графику рис. 1.9; K
1
и
K
0
– модифицированные функции Бес-
селя; N – число i-х корпусов микросхем,
расположенных вокруг корпуса рассчи-
тываемой микросхемы на расстоянии не
более 10/m, т.е. r
i
≤ 10/m; ∆t
в
– среднеобъ-
ёмный перегрев воздуха в блоке;
Q
– мощность, рассеиваемая i-й микро-
схемой;
i
S
ис
– суммарная площадь по-
верхности i-й микросхемы;
iз
δ
– зазор
между микросхемой и ПП;
iз
λ
– коэффи-
циент теплопроводности материала,
заполняющего этот зазор.
Рис. 1.9. Зависимость
коэффициента теплоотдачи K
α
αα
α
от площади поверхности
корпуса микросхемы
Вт/м
2
⋅К
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
