Управление качеством электронных средств - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

3.3. АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
ПО КРИТЕРИЯМ ТОЧНОСТИ И СТАБИЛЬНОСТИ
Проведение анализа погрешностей параметров качества при изготовлении целого ряда ЭС, в первую очередь микросхем,
приводит к выводу, что для стабильного производства распределение этих погрешностей должно быть близко к
нормальному закону. Между тем на практике иногда распределения погрешностей отличны от гауссовского закона.
Следует заметить, что во всех случаях отклонение распределений погрешностей параметров качества изделий от
нормального закона служит отправной точкой к анализу процессов для отыскания причин отклонения.
Рекомендуется следующий порядок исследования технологического процесса с целью его анализа по критериям
точности и стабильности [3].
1. Сбор статистического материала, представляющего собой совокупность наблюдений за параметром качества в
течение определенного времени.
2. Обработка собранного материала для получения полных распределений погрешностей параметров качества и
построения точностных диаграмм исследуемого процесса.
3. По виду полных распределений, точностных диаграмм и значениям статистических критериев сходимости
эмпирических распределений с теоретическими принимается гипотеза о принадлежности исследуемого процесса к
определенной схеме возникновения производственных погрешностей.
4. Путем анализа физической сущности исследуемого процесса и дополнительного эксперимента подтверждается
принятая гипотеза и определяются факторы, действие которых обусловливает данную схему.
5. Даются рекомендации к изменению технологического процесса для повышения его точности и стабильности.
6. После выполнения разработанных рекомендаций производится сбор и обработка статистического материала для
подтверждения эффективности реинжиниринга технологического процесса.
Приведем пример анализа технологического процесса изготовления тонкопленочных резисторов по критериям
точности и стабильности [3].
Одним из распространенных видов брака в производстве гибридно-пленочных микросхем является отклонение
сопротивлений тонкопленочных резисторов от номинала за пределы установленного поля допуска.
В ходе предварительного исследования был собран статистический материал, представляющий собой совокупность
значений сопротивлений тонкопленочных резисторов, измеренных после каждого цикла напыления в течение большого
временного периода. Источником информации служила одна из вакуумных установок технологического участка, а
напыление осуществлялось через один комплект биметаллических масок.
Вся совокупность тонкопленочных резисторов, полученных за один цикл напыления, может быть представлена
мгновенным распределением погрешностей параметра качества (в данном случае – сопротивления резисторов).
Совокупность тонкопленочных резисторов, полученных за несколько циклов напыления, представляет полное
распределение погрешностей параметра качества.
На основе обработанного статистического материала была построена эмпирическая точностная диаграмма
исследуемого технологического процесса (рис. 23).
Из рассмотрения диаграммы следует, что начиная с четвертого цикла напыления, поле рассеивания погрешностей
сопротивления тонкопленочных резисторов выходит за пределы поля допуска, центры группирования погрешностей
сопротивления резисторов в мгновенных распределениях практически линейно растут, а поле рассеивания погрешностей
сопротивления резисторов в мгновенных распределениях не меняется во времени.
Также были построены и проверены по критерию Пирсона (хи-квадрат) полное распределение погрешностей
сопротивления резисторов (см. рис. 24). Проверка показала, что полное распределение по внешнему виду весьма напоминает
композицию нормального закона с законом равной вероятности.

Страницы