Изучение работы транзистора. Назаров А.И. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

10
и без рекомбинации достигнут области коллекторного перехода и будут
переброшены в p - область коллектора контактным полем двойного слоя .
Следовательно, ток эмиттера в транзисторе будет приблизительно равен
току коллектора.
Эмиттер База Коллектор
p n
+
p n
+
p
эпитаксиальный слой n
-
n
+
подложка p
-
Рис. 3. Транзистор на полупроводниковой подложке
- диэлектрик,
- металл,
- полупроводник. 
и без рекомбинации достигнут области коллекторного перехода и будут
переброшены в p - область коллектора контактным полем двойного слоя .
Следовательно, ток эмиттера в транзисторе будет приблизительно равен
току коллектора.


                    Эмиттер        База         Коллектор




                           +                          +
        p              n           p              n         p




                                                 -
                      эпитаксиальный слой n




                                       +
                                   n


                                            -
                               подложка p




     Рис. 3. Транзистор на полупроводниковой подложке

                   - диэлектрик,

                   - металл,

                    - полупроводник.




10

Страницы