Изучение работы транзистора. Назаров А.И. - 12 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

12
Эмиттер База Коллектор
I
э
- + + - I
к
- + + -
- + + -
p - n - p
- + + -
Источник I
базы
Г усиливаемого R
н
сигнала
+ - + -
Рис. 5. Схема соединения транзистора с общей базой
Коэффициент усиления схемы по напряжению K
u
равен отношению
изменения падения напряжения на выходе транзистора к изменению паде-
ния напряжения на его входе. Из формулы (7) видно, что для схем с общей
базой и эмиттером его значение
будет много больше единицы:
K
u
=(dU
вых
/dU
вх
)=(dI
вых
*R
вых
)/(dI
вх
*R
вх
)=
=(dI
к
*R
вых
)/(dI
э
*R
вх
)=R
вых/
R
вх
>>1. (7)
Аналогичное соотношение можно получить и для коэффициента
усиления транзистора по мощности K
p
(8). Очевидно, что усиление по
мощности будет тем больше, чем большая часть тока, проходящего через
эмиттер , будет достигать коллектора. В основном
же усилительные свой-
ства транзистора обеспечиваются высоким отношением сопротивления на-
грузки к входному сопротивлению (8).
K
p
=dP
вых
/dP
вх
=(I
к
/I
э
)
2
*R
нагр
/R
вх
>>
1. (8)
Рассмотрим основные характеристики, определяющие качество тран-
зистора. К ним относятся коэффициенты передачи тока эмиттера и базы.
Дифференциальным коэффициентом передачи тока эмиттера α называется
                     Эмиттер     База     Коллектор

            Iэ              -   + + -                   Iк
                            -   + + -
                            -   + + -
                        p   -    n -            p
                            -   + + -


         Источник                       Iбазы
     Г   усиливаемого                                        Rн
         сигнала


           +     -                          +       -




     Рис. 5. Схема соединения транзистора с общей базой

      Коэффициент усиления схемы по напряжению Ku равен отношению
изменения падения напряжения на выходе транзистора к изменению паде-
ния напряжения на его входе. Из формулы (7) видно, что для схем с общей
базой и эмиттером его значение будет много больше единицы:

     Ku=(dUвых/dUвх)=(dIвых*Rвых)/(dIвх*Rвх)=
     =(dIк*Rвых)/(dIэ*Rвх)=Rвых/Rвх>>1.                           (7)

      Аналогичное соотношение можно получить и для коэффициента
усиления транзистора по мощности Kp (8). Очевидно, что усиление по
мощности будет тем больше, чем большая часть тока, проходящего через
эмиттер , будет достигать коллектора. В основном же усилительные свой-
ства транзистора обеспечиваются высоким отношением сопротивления на-
грузки к входному сопротивлению (8).

     Kp=dPвых/dPвх=(Iк /Iэ)2 *Rнагр/Rвх>> 1.                 (8)
     Рассмотрим основные характеристики, определяющие качество тран-
зистора. К ним относятся коэффициенты передачи тока эмиттера и базы.
Дифференциальным коэффициентом передачи тока эмиттера α называется
12