Составители:
Рубрика:
11
Э К Э К
Б Б
а) б)
Рис. 4. Схематическое изображение транзистора
а) n-p-n транзистор,
б) p-n-p транзистор
В схемах с использованием транзистора выделяют две цепи - вход-
ную, в которую включается источник усиливаемых колебаний, и выход-
ную, в которую включается нагрузочное сопротивление. В зависимости от
того, какой электрод является общим для входной и выходной цепей, раз-
личают три способа соединения транзистора: цепь с общим эмиттером, с
общей базой (см
. рис. 5) и общим коллектором . В первых двух способах
входное сопротивление R
вх
достаточно мало, так как оно включено после-
довательно с эмиттерным p-n переходом, смещенным в прямом направле-
нии, а выходное сопротивление R
вых
достаточно велико, так как оно
включено последовательно с обратносмещенным коллекторным перехо-
дом.
Э К Э К Б Б а) б) Рис. 4. Схематическое изображение транзистора а) n-p-n транзистор, б) p-n-p транзистор В схемах с использованием транзистора выделяют две цепи - вход- ную, в которую включается источник усиливаемых колебаний, и выход- ную, в которую включается нагрузочное сопротивление. В зависимости от того, какой электрод является общим для входной и выходной цепей, раз- личают три способа соединения транзистора: цепь с общим эмиттером, с общей базой (см. рис. 5) и общим коллектором . В первых двух способах входное сопротивление Rвх достаточно мало, так как оно включено после- довательно с эмиттерным p-n переходом, смещенным в прямом направле- нии, а выходное сопротивление Rвых достаточно велико, так как оно включено последовательно с обратносмещенным коллекторным перехо- дом. 11
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »