Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Байдусь Н.В

UptoLike

Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Байдусь Н.В

РЕШЕНИЕ (файл) вывод, красное-белое: 

ВУЗ: 

ННГУ | Нижний Новгород

Дисциплина: 

ННГУ | Нижний Новгород - ФТТиПП

Составители: 

Формат файла: 

PDF

Ключевые слова: 

  • методические указания

Количество страниц: 

16
Источник файла
Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении практических навыков работы с технологическим оборудованием и полупроводниковыми материалами. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ.

Рекомендуемые учебно-методические материалы

Моделирование резонансного туннелирования в полупроводниковых наноструктурах. Агарев В.Н.
Просмотреть (PDF)
Агарев В.Н.
Агарев В.Н. Моделирование резонансного туннелирования в полупроводниковых наноструктурах: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: Нижегородский гос. ун-т им. Н.И. Лобачевского, 2008. - 5 с.
Моделирование энергетического спектра в полупроводниковых наноструктурах методом пристрелки. Агарев В.Н.
Просмотреть (PDF)
Агарев В.Н.
Агарев В.Н. Моделирование энергетического спектра в полупроводниковых наноструктурах методом пристрелки: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: Нижегородский гос. ун-т им. Н.И. Лобачевского, 2008. - 6 с.
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Байдусь Н.В
Просмотреть (PDF)
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2001. - 18 с.
Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Байдусь Н.В
Просмотреть (PDF)
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 1999. - 16 с.
Инфракрасная спектроскопия аморфного кремния. Ершов А.В
Просмотреть (PDF)
Ершов А.В., Машин А.И., Касьянов Д.Е.
Ершов А.В., Машин А.И., Касьянов Д.Е. Инфракрасная спектроскопия аморфного кремния: Лабораторная работа по курсу "Физика аморфных полупроводников". - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2001. - 24 с.
Исследование поверхности твердых тел методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Филатов Д.О
Просмотреть (PDF)
Филатов Д.О., Круглов А.В.
Филатов Д.О., Круглов А.В. Исследование поверхности твердых тел методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: НОЦ СЗМ Нижегородского государственного университета, 2001. - 22 с.