ВУЗ:
Составители:
Раздел 2
70
изображение строится с помощью приемника электронов,
помещаемого позади образца;
♦ растровые (сканирующие), позволяющие исследовать дос-
таточно протяженные участки поверхности образца путем
сканирования электронного пучка с регистрацией отра-
женных от поверхности электронов приемником, распола-
гаемым над облучаемой поверхностью.
Разрешение просвечивающих электронных микроскопов дос-
тигает 0,2 нм, а растровых – 1–2 нм, поэтому микроскопы обоих
типов могут использоваться и реально применяются для изучения
наноструктур. Подробная информация
об устройстве электрон-
ных микроскопов содержится в рекомендуемой литературе.
Здесь дадим более детальное описание уже упоминавшихся
выше сканирующих зондовых микроскопов: туннельного и атом-
но-силового, изобретение которых в первой половине 1980-х гг. в
значительной степени способствовало развитию исследований в
области нанотехнологии. Разрешение обоих микроскопов таково,
что с их помощью можно
видеть отдельные атомы на поверх-
ности исследуемого образца, а с помощью сканирующего тун-
нельного микроскопа – не только видеть, но и, что чрезвычайно
важно, перемещать атомы. Таким образом, изобретение скани-
рующего туннельного микроскопа сделало реальностью идею
Р. Фейнмана о манипулировании отдельными атомами, выска-
занную в его знаменитой лекции и впоследствии развитую
Э
. Дрекслером.
Сканирующий туннельный микроскоп был создан в 1981 г. со-
трудниками исследовательской лаборатории компании IBM в
Цюрихе Г. Биннигом и Г. Рорером. О значимости этого изобрете-
ния свидетельствует тот факт, что уже в 1986 г. им за него была
присуждена Нобелевская премия совместно с одним из создате-
лей электронного микроскопа Э. Руска,
чьи первые работы в этой
области относятся еще к началу 1930-х гг.
Принцип действия сканирующего туннельного микроскопа
(рис. 2.5) основан на хорошо известном в физике квантовомеха-
ническом эффекте туннелирования электронов через потенци-
Раздел 2
изображение строится с помощью приемника электронов,
помещаемого позади образца;
♦ растровые (сканирующие), позволяющие исследовать дос-
таточно протяженные участки поверхности образца путем
сканирования электронного пучка с регистрацией отра-
женных от поверхности электронов приемником, распола-
гаемым над облучаемой поверхностью.
Разрешение просвечивающих электронных микроскопов дос-
тигает 0,2 нм, а растровых – 1–2 нм, поэтому микроскопы обоих
типов могут использоваться и реально применяются для изучения
наноструктур. Подробная информация об устройстве электрон-
ных микроскопов содержится в рекомендуемой литературе.
Здесь дадим более детальное описание уже упоминавшихся
выше сканирующих зондовых микроскопов: туннельного и атом-
но-силового, изобретение которых в первой половине 1980-х гг. в
значительной степени способствовало развитию исследований в
области нанотехнологии. Разрешение обоих микроскопов таково,
что с их помощью можно видеть отдельные атомы на поверх-
ности исследуемого образца, а с помощью сканирующего тун-
нельного микроскопа – не только видеть, но и, что чрезвычайно
важно, перемещать атомы. Таким образом, изобретение скани-
рующего туннельного микроскопа сделало реальностью идею
Р. Фейнмана о манипулировании отдельными атомами, выска-
занную в его знаменитой лекции и впоследствии развитую
Э. Дрекслером.
Сканирующий туннельный микроскоп был создан в 1981 г. со-
трудниками исследовательской лаборатории компании IBM в
Цюрихе Г. Биннигом и Г. Рорером. О значимости этого изобрете-
ния свидетельствует тот факт, что уже в 1986 г. им за него была
присуждена Нобелевская премия совместно с одним из создате-
лей электронного микроскопа Э. Руска, чьи первые работы в этой
области относятся еще к началу 1930-х гг.
Принцип действия сканирующего туннельного микроскопа
(рис. 2.5) основан на хорошо известном в физике квантовомеха-
ническом эффекте туннелирования электронов через потенци-
70
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 68
- 69
- 70
- 71
- 72
- …
- следующая ›
- последняя »
