Взаимодействие космических аппаратов с окружающей плазмой. Новиков Л.С. - 38 стр.

   Зависимость коэффициента неупругого отражения электронов от
энергии электронов выражена весьма слабо, причем для многих мате-
риалов наблюдается незначительный максимум приблизительно при тех
же энергиях, которым соответствует δ m .
   Коэффициент упругого отражения электронов r существен лишь при
малых энергиях падающих электронов Е ~ (1-20) эВ. При этих энергиях
наблюдаются значения r = 0,1 - 0,35. В области средних энергий па-
дающих электронов Ep = (0,1-10) кэВ величина коэффициента r состав-
ляет лишь (2-3)%, поэтому процесс упругого отражения электронов не
дает существенного вклада в величину полного коэффициента вторич-
ной электронной эмиссии и не влияет на его зависимость от Ep.
   Зависимость полного коэффициента вторичной электронной эмис-
сии σ от энергии падающих электронов Ep определяется суммой зави-
симостей δ ( E p ) и η ( E p ) , она подобна зависимости δ ( E p ) , но имеет
обычно несколько более широкий максимум, смещенный в сторону
больших значений Ep. Для металлов значения σ m = 0,5-1,8; они дости-
гаются при Еpm=(0,2-0,9) кэВ. Для большинства полупроводников
σ m =1-1,5, Еpm = (0,3-0,8) кэВ, а для диэлектриков (слюда, стекло, кварц,
полимеры и т.д.) значения σ m обычно выше, чем для металлов и полу-
проводников – σ m = 2-5 при Еpm = (0,2-0,5) кэВ.
   Более высокое значение σ m диэлектриков объясняется тем, что в
этом случае возбужденные электроны теряют меньше энергии при дви-
жении к поверхности из-за отсутствия электронов в зоне проводимости,
т.е. более высока вероятность выхода возбужденных электронов из ми-
шени в вакуум.
  На рис. 11 в качестве примера приведены зависимости коэффициен-
та σ от энергии первичных электронов для трех полимерных материа-
лов, часто используемых на внешней поверхности КА.




                                       38