Взаимодействие космических аппаратов с окружающей плазмой. Новиков Л.С. - 37 стр.

    f ( z ) = B0 exp(− z λs ) ,
   где В0 – вероятность выхода электронов в вакуум с поверхности
(z=0); λs – эффективная глубина выхода возбужденных электронов,
составляющая ~0,5-3 нм.
   С учетом выражения для f (z ) можно записать
                ∞
   δ ( E p ) = B0 ∫ G ( z ,E p ) exp(− z λs )dz .
                 0


   Из приведенного выше качественного анализа видно, что с увеличе-
нием энергии первичных электронов от малых значений коэффициент
истинной вторичной эмиссии δ сначала должен расти за счет увеличе-
ния общего числа электронов, возбуждаемых в материале мишени. Но
по мере роста Ep увеличивается глубина зарождения основной массы
возбужденных электронов, а следовательно, уменьшается вероятность
их выхода в вакуум в соответствии с зависимостью exp(− z λs ) . Поэтому
при некотором значении энергии первичных электронов коэффициент
истинной вторичной эмиссии должен достигать максимальной величи-
ны, а затем он должен уменьшаться за счет уменьшения вероятности
выхода возбужденных электронов с больших глубин.
   Такая зависимость δ от Ep действительно наблюдается (рис. 10).
Максимальное значение коэффициента истинной вторичной эмиссии
δ m достигается при энергии первичных электронов Еpm. Если величи-
на δ m > 1 , как на рис. 10, то можно указать еще две характерные энергии
первичных электронов Еp1 и Еp2, при которых δ m = 1 .


                                                         Рис. 10. Зависимость коэффи-
                                                         циента истинной вторичной
                                                         эмиссии от энергии первичных
                                                         электронов




                                                    37