Измерение температуры активных областей полупроводниковых приборов. Новоселов В.В - 10 стр.

UptoLike

Рубрика: 

7
1. Радиометры для измерения интегрального излучения от всей по-
верхности исследуемого объекта. При этом различные участки по-
верхности могут иметь неодинаковую температуру.
2. Радиометры для регистрации излучения от отдельных точек объек-
та, имеющих известную величину коэффициента излучательной
способности.
3. Инфракрасные микроскопы для получения теплового поля объекта.
Принципиального отличия между оптическими системами первого и
второго классов не имеется. Инфракрасные системы, пригодные для иссле-
дования температуры и её распределения по переходу полупроводниковых
приборов, отличаются в основном по чувствительности и разрешающей спо-
собности.
Радиометр первого типа позволяет измерять среднюю температуру
объекта. Радиометр второго типа (микрорадиометр) должен позволять пере-
мещать объект в двух направлениях (от десятков до нескольких сотен мик-
рон) и иметь приспособление для визуального наблюдения поверхности объ-
екта.
Более сложная система инфракрасного микроскопа позволяет преобра-
зовывать невидимое инфракрасное излучение в видимое с помощью механи-
ческого или оптико-механического сканирования и применения электронно-
оптических преобразователей и т. д. Применяется инфракрасный микроскоп
для качественной и количественной оценки температуры в различных облас-
тях объекта.
На рисунке 1 изображёна принципиальная схема инфракрасного мик-
роскопа. Микроскоп включает в себя: источник излучения 1, оптическую
систему 2 и 4, модулирующее устройство (систему сканирования) 3, приём-
ник 5, электронную систему для усиления сигнала 6 и измерительный прибор
для измерения величины сигнала 7.